微光刻和电子束光刻技术(北京大学暑期班讲义版).pptVIP

微光刻与电子束光刻技术(北京大学暑期班讲义版);四十年前后 五十载结缘 七十季春秋;1963年与环卫工人劳动模范时传祥一块背粪便的照片;中国科学院微电子研究所 邻近区域全景;前后工艺线;自然界尺度与微光刻—长度;十等：億 兆 京 垓 秭 穰 溝 澗 正 載 下數: 10^5 10^6 10^7 10^8 10^9 10^10 10^11 10^12 10^13 10^14 萬進: 10^8 10^12 10^16 10^20 10^24 10^28 10^32 10^36 10^40 10^44 中數: 10^8 10^16 10^24 10^32 10^40 10^48 10^56 10^64 10^72 10^80 上數: 10^8 10^16 10^32 10^64 10^128 10^256 10^512 10^1024 10^2048 10^4096;10^0 1 一 10^-1 d deci 分 10^-2 c centi 厘 (釐 ) 10^-3 m milli 毫 (毛 ) 10^-4 絲 10^-5 忽 10^-6 μ micro 微 /ppm 10^-7 纖 10^-8 沙 10^-9 n nano 塵/纳 /奈 10^-10 ? 埃 10^-11 渺 10^-12 p pico 漠/皮 10^-13 逡 10^-14 电子半径 巡 10^-15 f femto 溟/飞 /飛 10^-16 μ? 清(微埃） 10^-17 须 10^-18 a atto 净/阿 10^-21 z zepto 仄 /介 10^-24 y yocto 幺 /攸 10^-35 普朗克量子长度;光刻技术五十年;1947年贝尔实验室发明 世界第一只点接触晶体管;;半导体材料的硅占地壳中所有元素含量的四分之一;元素半导体：是由单一元素制成的半导体材料。 主要有硅、锗、硒、硼、碲、锑等 以硅、锗应用最广。 化合物半导体： 二元系化合物半导体： Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）； Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）； Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）； Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。 三元系和多元系化合物半导体： 主要为三元和多元固溶体： 如镓铝砷、镓锗砷磷等固溶体。 还有：Ⅰ－Ⅶ族化合物；Ⅴ-Ⅵ族化合物的温差电材料 ；第四周期中的B族和过渡族元素氧化物,为主要的热敏电阻材料 ；某些稀土族元素 与Ⅴ族元素N、As或??族元素S、Se、Te形成的化合物 有机化合物半导体： 有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等还处于研究阶段。 此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。　 ; 自从1958年世界上出现第一块平面集成电路开始算起，在短短的五十年中，微电子技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展，创造了人间奇迹。人类社会、世界、科学、未来都离不开微电子。 作为微电子技术工艺基础的微光刻技术与微纳米加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术。1980年左右曾经有人预言：光刻线宽不能小于1微米1989年曾经有预言：到1997年光刻技术将走到尽头1994年也曾经有比较乐观的长期预测，2007年线宽达到0.1微米（保守的预计为0.5微米） 这些预测都被光刻技术神话般的进步的步伐远远抛在后头 ！ 过去的几十年中证明，只要通过光刻技术的专家们的努力，就