集成光电子学的现状与发展前景分析报告.docxVIP

半导体光调制器可分为强度调制器件和相位调制器件。 由于目前光纤调制系统主要采用 半导体光调制器可分为强度调制器件和相位调制器件。 由于目前光纤调制系统主要采用 集成光电子学的现状与分析 摘要 集成光电子学是当今光电子学领域的发展前沿之一，随着光电子器件的发展与广泛应 用，光电子集成也随即发展起来。而光电子集成也是光子学发展的必由之路和高级阶段。 本 论文将主要介绍光电集成器件、光电集成材料以及光电集成技术的发展现状及其前景。 关键词：光电子器件、光电子集成(OEIC)技术、OEIC光发射机器件、OEIC光接收机器件、 光中继器件、GaAs光电子集成技术、InP光电子集成技术、硅基光电子集成技术。 一、引言 集成光电子学是当今光电子学领域的发展前沿之一，它主要研究集成在一个平面上的 光电子学器件和光电子系统的理论、 技术与应用，是光子学发展的必由之路和高级阶段。 集 成光电子学以半导体激光器等光电子元件为核心集成起来，并以具有一定功能的体系为标 志。目前，主要是研究和开发光通信、光传感、光学信息处理和光子计算机所需的多功能、 稳定、可靠的光集成体系和光电子集成体系 (OEIC: optical-electro nic in tegrated circuit);光学器件与电子器件集成在一起， 则构成复合光电子集成体系。 光电子集成(OEIC)技术和光子集成技术是光电子技术的基础， 自从20世纪光电子集成的概念被提出以后，光电子集成技术的发展已经取得了一系列重大 的突破。随着光电子集成器件的发展，其制造工艺不断向着简约化、标准化、系列化和自动 化发展。集成光电子学的理论基础是光学和光电子学， 涉及波动光学与信息光学、 非线性光 学和、半导体光电子学、晶体光学、薄膜光学、导波光学、耦合模与参量作用理论、薄膜光 波导器件和体系等多方面的现代光学和光电子学内容； 其工艺基础则主要是薄膜技术和微电 子工艺技术。集成光电子学的应用领域非常广泛， 除了光纤通信、光纤传感技术、光学信息 处理、光计算机与光存储等之外，还在向其他领域，如材料科学研究、光学仪器、光谱研究 等方面渗透。 二、典型的光电子器件简介 ⑴ 1、有源器件 半导体发光二级管 LED( lighting emitting diode ) 早期的光纤通讯 使用过LED作为光源。现在LED仍然广泛应用于许多领域，如大屏幕 显示、交通指示灯等等。LED是基于半导体有源区材料自发辐射的光源，结构简单，制作方 便，但是频谱很宽，且光束方向性差，功率小。 半导体激光器 LD( laser diode ) 发展到今天，半导体激光器已经成为光纤通信系统的必选光源。 它具有很多优势：体积 小，功率转换效率高，激光单色性好，调制速度高。半导体激光器波长目前已经覆盖了从 360nm到几十um的范围。半导体激光器的基本结构如图 1。 半导体光放大器 SOA SOA的结构几乎和LD相同，其本质区别在于 SOA的两个端面都是完全抗反镀膜， 即SOA 没有谐振腔。由于不存在光的端面反馈，所以光在器件中以行波方式通过。 SOA可用于宽带 放大，3dB带宽可达40— 50nm。虽然掺饵光纤放大器的出现限制了 SOA的应用，但是 SOA 仍具有很强的优势：体积小，价格便宜，宽带放大，可用于制作光开关及列阵等。 半导体光调制器 强度检测方式，所以强度光调制器占有绝大多数的份额。 半导体强度调制器主要有两种， 利 用量子限制的斯塔克的电吸收调制器件和 Mach-Zehnder（M-Z）型光调制器件。 无外加偏压时，电吸收型调制器的吸收峰处于被调制光波长的短波长方向， 光波吸收较 少；外加反偏压时，电吸收型调制器的吸收峰向长波长方向移动，使被调制光的吸收增大。 M-Z型光调制器有两个波导臂，其中一个加有电极，当电极加上电压后，这个臂上波导 的折射率会发生改变，通过该臂的光的相位会发生变化。 M-Z型光调制器结构示意图如图 2 所示。 2、无源器件 1） 半导体光耦合器 半导体光耦合器主要用于光功率分配， 常用的耦合器有星型耦合器和基于多模干涉的耦 合器，后者的耦合效率较高。 2） 复用/解复用器件 基于半导体材料的复用/解复用器件主要有三种。一种是利用多层介质膜滤波器制作的 复用/解复用器。第二种叫做曲面平面光栅，最后一种叫阵列波导光栅。 3） 半导体光开关 在WDM光纤网络系统中光开关是非常关键的器件。目前有热光开关、 M-Z型电光开关、 基于SOA的光开关以及基于微光电机系统的光开关。 电根PGaAs 电根 PGaAs - p-GaAlAs45 dn=3 2 9 —? —? n-G aA lAs ,x=0.45 ,n=3.2 9 ―? 欧姆接融层 上限制层（p型） 有源层（i型） 下限制层?型） 图1半导体激光器的基