第6章 存储器及可编程逻辑器件.ppt

第6章 存储器和可编程逻辑器件; 6.1 存储器 6.1.1 概述 6.1.2 只读存储器（ROM） 6.1.3 可编程只读存储器 6.1.4 ROM容量的扩展 ;6.1存储器; 6.1.2只读存储器（ROM） 只读存储器（ROM）有掩膜ROM、可编程ROM、 可改写 ROM。 掩膜只读存储器（ROM）是在制造时把信息存放在此存储 器中， 使用时不再重新写入，需要时读出即可；它只能读取所存 储信息，而不能改变已存内容，并且在断电后不丢失其中存储内 容， 故又称固定只读存储器。ROM主要由地址译码器、存储矩阵 和输出缓冲器三部分组成， 如图6.1所示。 ;图6.1 ROM框图; 每个存储单元中固定存放着由若干位组成的二进制数码— —称为“字”。为了读取不同存储单元中所存的字，将各单元编 上代码——称为地址。在输入不同地址时，就能在存储器输出 端读出相应的字, 即“地址”的输入代码与“字”的输出数码有固定 的对应关系。 如图6.1所示， 它有2n个存储单元，每个单元存放 一个字，一共可以存放2n个字；每字有m位， 即容量为2n×m （字线×位线）。 ; 存储体可以由二极管、三极管和MOS管来实现。 二 极管矩阵ROM如图6.4所示， W0、W1、W2、W3是字线， D0、 D1、D2、D3是位线，ROM的容量即为字线×位线， 所以图6.4所示ROM的容量为4×4=16，即存储体有16个存 储单元。 ;图 6.4 二极管ROM结构图; 1. 如何读字 当地址码A1A0=00时，译码输出使字线W0为高电平，与其 相连的二极管都导通，把高电平“1”送到位线上，于是D3、D0端 得到高电平“1”，W0和D1、D2之间没有接二极管，故D1、D2端 是低电平“0”。这样，在D3D2D1D0端读到一个字1001，它就是该 矩阵第一行的字输出。在同一时刻，由于字线W1、 W2、 W3都 是低电平，与它们相连的二极管都不导通， 所以不影响读字 结果。 ; 当地址码A1A0=01时，字线W1为高电平，在位线输出 端D3D2D1D0读到字0111， 任何时候，地址译码器的输出决 定了只有一条字线是高电平，所以在ROM的输出端只会读 到惟一对应的一个字。 在对应的存储单元内存入1还是0， 是由接入或不接入相应的二极管来决定的。; 2. 如何实现组合逻??电路 如图6.3所示， ROM中的地址译码器形成了输入变量 的最小项, 即实现了逻辑变量的“与”运算；ROM中的存储 矩阵实现了最小项的或运算，即形成了各个逻辑函数； 与阵列中的垂直线Wi代表与逻辑，交叉圆点代表与逻辑 的输入变量；或阵列中的水平线D代表或逻辑，交叉圆点 代表字线输入。; 例 1 用ROM实现一位二进制全加器。  解 全加器的真值表如表6.1所示， A、B为两个加数,Ci-1为 低位进位，S为本位的和，Ci为本位的进位。由表6.1可写出最 小项表达式为： ;表6.1 全加器真值表;图 6.5 全加器阵列图; 例 2 用ROM实现下列逻辑函数。 ;图6.6 例2的ROM阵列图; 6.1.3 可编程只读存储器 而可编程ROM常称PROM在出厂时，存储体的内容为全0或 全1，用户可根据需要将某些内容改写，也就是编程。常用的双 极型工艺ROM，采用烧毁熔断丝的方法使三极管由导通变为截 止，三极管不起作用，存储器变为“0”信息；而未被熔断熔丝的 地方，即表示为“1”信息。PROM只实现一次编写的目的，写好 后就不可更改。 ; 如果想对一个ROM芯片反复编程，多次使用，需用 可擦除编程ROM即EPROM。常用的MOS工艺制造的 EPROM用注入电荷的办法编程， 此过程可逆，当用紫外 光照射以后，旧内容被擦除。 擦除后的芯片内容可能是 全1, 也可能是全0，视制造工艺而不同，之后可再次编程。 ; 6.1.4 ROM容量的扩展 1. ROM的信号引线 如图6.7所示，除了地址线和数据线（字输出线）外，ROM 还有地线（GND）、电源线（VCC）以及用来控制ROM工作的 控制线为芯片使能控制线（ ），使能输出控制线称片选线。 当 =1时，芯片处于等待状态，ROM不工作，输出呈高阻 态；当 =0时，ROM工作。 ;图6.7 ROM的信号引线; 2. ROM容量的扩展