实验十一-用霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应强度分布.pdfVIP

实验十一 用霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应 强度分布 一、实验目的 1、掌握测试霍尔器件的工作特性； 2、学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法； 3、学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。 二、实验仪器 TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪。 图 11-1 三、实验原理 1、霍尔效应法测量磁场原理 把一半导体薄片放在磁场中，并使片面垂直于磁场方向，如在薄片纵 向端面间通以电流，那么，在薄片横向端面间就产生一电势差，这种现象 叫做霍尔效应，所产生的电势差叫做霍尔电压，用以产生霍尔效应的半导 体片称为霍尔元件。 霍尔效应是由于运动的电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的， 如图(11-1)所示，当电子以速率v 沿X轴的反方向从霍尔元件的N端面向M端 面运动时，电子所受到的沿Z轴方向、强度为B的磁场的作用力为 f B =-evB （11-1） 式中e为电子电量的绝对值。f B 为电子受到的洛伦兹力，它使电子发生 偏移，从而在霍尔元件的P端面聚积起正电荷，在S端面积聚起负电荷，于 是在P、S端面间就形成一个电场E ，称为霍尔电场。霍尔电场又将产生阻 H 碍电子偏移的电场力fE ，当电子所受到的电场力与磁场力达到动态平衡时， 有 f =f 或 eE = evB （11-2） E B H 其中v为电子的漂移速度。这时，电子将沿X轴的反方向运动，但此时 已在P端面和S端面间形成一个电势差V ，这就是霍尔电压。 H 设元件的宽度为b ，厚度为d ，电子浓度为n ，则通过霍尔元件的电流为 I=-nevbd （11-3） 由(11-2)和 (11-3)式可得 1 IB IB V  E b   R （11-4） H H H ne d d 即霍尔电压与IB乘积成正比，与元件厚度d 及电子浓度n成反比，故采 用半导体材料做霍尔元件，并切割得很薄 (约0.2mm左右)。其中比例系数 1 1 RH   称为霍尔系数，若令 -  K H ， 则 ne ned V =K IB （11-5） H H 式中K为霍尔元件的灵敏度，其值已标在仪器上，它表示该器件在单位工作 电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压，它的单位取I为mA、B为KGS、VH . 为mV，则K 的单位为mV/ （mA KGS）。由（11-5）式可知，若K 为已知，用 H H 仪器分别测出通过霍尔元件的工作电流I及霍尔电压V ，就可以算出磁感应 H 强度B的大小，这就是利用霍尔效应测量磁场的原理。