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- 2020-11-26 发布于天津
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电路与电子技术复习题第章一填空题在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度而少数载流子的浓度则与温度有很大关系当结外加正向电压时扩散电流大于漂移电流耗尽层变窄当外加反向电压时扩散电流小于漂移电流耗尽层变宽在型半导体中电子为多数载流子空穴为少数载流子三极管处在放大区时其集电结电压小于零发射结电压大于零三极管的发射区杂质浓度很高而基区很薄在半导体中温度变化时少数载流子的数量变化较大而荃数载流子的数量变化较小三极管实现放大作用的内部条件是发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度同时基区厚度要很小
(X )
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电路与电子技术复习题
第4章
一、 填空题
1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度,而少数载流子的浓
度则与温度有很大关系。
2、 当PN结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄。当外加反向
电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、 在N型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
4、 三极管处在放大区时,其 集电结 电压小于零, 发射结 电压大于零。
5、 三极管的发射区 杂质 浓度很高,而基区很薄。
6、 在半导体中,温度变化时 少 数载流子的数量变化较大, 而 荃 数载流子的数量变化 较小。
7、 三极管
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