实验-硅热氧化工艺.pdfVIP

实验 硅热氧化工艺 在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极 为重要的意义。它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层，而且也是保证器件表面 不受周围气氛影响的钝化层，它不光是器件与器件之间电学隔离的绝缘层，而且 也是 MOS 工艺以及多层金属化系统中保证电隔离的主要组成部分。因此了解硅 氧化层的生长机理，控制并重复生长优质的硅氧化层方法对保证高质量的集成电 路可靠性是至关重要的。 在硅片表面形成 SiO2 的技术有很多种：热氧化生长，热分解淀积（即VCD 法），外延生长，真空蒸发，反应溅射及阳极氧化法等。其中热生长氧化在集成 电路工艺中用得最多，其操作简便，且氧化层致密，足以用作为扩散掩蔽层，通 过光刻易形成定域扩散图形等其它应用。 一、 实验目的 1、掌握热生长 SiO2 的工艺方法（干氧、湿氧、水汽）。 2 、熟悉 SiO 层在半导体集成电路制造中的重要作用。 2 3、了解影响氧化层质量有哪些因素。 4 、能建立起厚度 d 和时间 t 的函数关系。 5、了解形成 SiO 层的几种方法及它们之间的不同之处。 2 二、