原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
年半导体行业前瞻分析导语由于与产业链全球来看仍处于起步阶段国内企业更是大部分处于早期研发阶段远未成熟行业体量较小重点关注已经在与研发上投入大量资源并且取得一定成果的公司硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起材料的历史与瓶颈上世纪五十年代以来以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了集成电路为核心的微电子领域迅速发展然而由于硅材料的带隙较窄电子迁移率和击穿电场较低在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制在高频下工作性能较差不适用于高压应用场景光学性能也得不到突破随着材料的瓶颈日益突出
2020 年半导体行业前瞻分析
导语
由于 SiC 与 GaN 产业链全球来看仍处于起步阶段，国内企业更是 大部 分处于早期研发阶段，远未成熟，行业体量较小，重点关注已经 在 SiC 与 GaN 研发上投入大量资源并且取得一定成果的公司。
硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起
Si 材料的历史与瓶颈
上世纪五十年代以来，以硅（ Si ）材料为代表的第一代半导体材料 取代 了笨重的电子管引发了集成电路 （IC ）为核心的微电子领域迅速 发展。然而，由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低， Si 在光电 子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制，在高 频下工作性能 较差，不适用于高压应用场景，
文档评论（0）