光电检测技术第二章光电检测技术基础.ppt

光电检测技术;教学目的：半导体基础知识 重点内容： 1) 半导体能带结构 2)半导体载流子 3)半导体对光的吸收 4)光电效应 ;光电检测技术第二章光电检测技术基础;光电检测技术第二章光电检测技术基础;能级（Enegy Level） ;硅单晶结构 ;能带（Enegy Band） ; a)绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012Ω·cm。 b)半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-3—1012Ω·cm。 c)金属的导带??价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可在金属中自由运动，导电性好，电阻率10-6—10-3Ω·cm。;本征半导体;杂质半导体;N型半导体;N型半导体;P型半导体;P型半导体;平衡载流子;本征半导体载流子浓度强烈依赖温度 随着温度增高，载流子浓度显著增加;平衡和非平衡载流子;非平衡载流子的产生;漂移电流与扩散电流;(二）扩散 电 流（diffusion current）;讨论作业题;Ix=I0(1-r)e-αx;本征吸收 ;;半导体对光的吸收主要是本征吸收。对于硅材料，本征吸收的吸收系数比非本征吸收的吸收系数要大几十倍到几万倍，一般照明下只考虑本征吸收，可认为硅对波长大于1.15μm的可见光透明。 ;非本征吸收包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等。 ;激子吸收 ;半导体的特性;光电效应;光电效应;外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物 内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象;光电导效应 ;暗态下 ? Gd=σd·A/L, ????? Id=GdU=σd·AU/L 亮态下 ? Gl=σl·A/L, ????? Il=GlU=σl·AU/L 亮态与暗态之差 ?Gp=Gl - Gd=(σl-σd）·A/L=Δσ·A/L ?Ip=Il - Id=(Gl-Gd）·U=Δσ·AU/L A：半导体材料横截面面积 L：半导体材料长度 I：电流 U：外加电压 G：电导 σ：电导率 Δσ：光致电导率的变化量 下标d代表暗，l代表亮，p代表光。;光电导弛豫过程;PN 结;一PN结的动态平衡过程和接触电位; 当P-N结受光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。 只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。这导致在N区边界附近有光生电子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。 此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。 ;光生伏特效应 ;光热效应;光电检测器件;噪声特性;把均方噪声进行频谱分析 两种典型的噪声;噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。 由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。 一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。 所以在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。 ;光电探测器常见的噪声;1、热噪声;2、散粒噪声;3、产生-复合噪声;4、1/f噪声;当频率很低时，1/f噪声主导 当频率中间时，产生－复合噪声显著 当频率很高时，白噪声占主导地位;以上噪声都与等效噪声带宽Δf有关;光电探测器的特征参数;一、响应特性;２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比． ;3．响应时间（时间常数）：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数。 上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。;探测器的输出上升达到稳定值的63％所需的时间或者下降到稳定值的37％所需的时间称为探测器的时间常数。;4、信噪比Signal-to-noise ratio ;5、噪声等效功率(NEP) Noise-equivalent power ;噪声等效功率是一个可测量的量。 设入射辐射的功率为P，测得的输出电压为U0 然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为UN 则按比例计算，要使U0＝UN，的辐射功率为 ;6、探测率与归一化探测率;三、量子效率?（?