X射线光刻[共27页].ppt

X射线光刻技术;光刻基本介绍 在硅片表面涂胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程，再通过后续加工将图形转移到硅片上 将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。 光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。 光刻占40%到50% 的流片时间。 决定最小特征尺寸。;光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。; 光刻的本质是把所需图形复制到待刻蚀晶圆片，电路图形首先被制作在被称作光刻掩膜版的石英膜版上，然后将图形精确、重复转印至涂有光刻胶的待腐蚀层上。利用光刻胶的选择性保护作用，对需腐蚀图形进行选择性化学腐蚀，在表面形成与光刻模板图形相同（或相反）的图形。;光刻的目的　　光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。 主要目的是用来在不同器件和电路表面形成所需的各种图形。如经常用到的局部掺杂的掩蔽图形，互连连接的金属线图形等。 光刻工艺的目标主要包括在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求的图形和晶圆表面正确地定位图形。 光刻三要素 掩模版：主体为石英玻璃，透光性高，热膨胀系数小 光刻胶：又称光致抗蚀剂，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。 曝光机：用于曝光显影的仪器，利用光源的波长对于光刻胶的感光度不同，对光刻的图形进行曝光。;光刻工艺的基本步骤;1）气相成底膜;2）旋转涂胶;3）软烘（前烘）;4）对准和曝光;4）对准和曝光;5）曝光后烘焙;6）显影;7）坚膜;8）显影检查;X射线光刻的发展;X射线光刻的原理;软X射线光刻主要由X射线掩模、光刻胶、步进光刻机和X射线光源组成。;X射线掩模;光刻胶;光刻胶;X射线步进光刻机;X射线源;X射线源;X射线光刻技术的优点; 德国联邦工程物理研究所 ( Physikalisch-Technische Bundesanstalt,简称PTB)，BESSY研究中心和激光技术研究所 (Institute of Laser Technology)，对X射线投影光刻的有关单元技术，利用同步加速器 X射线源进行光学超高精度表面反射率的测量、透射软X射线掩模板的制作、激光等离子体的研究、多层???的研究、利用同步辐射X射线作比对 ,对测量波长进行标定。在同步辐射X射线源上 ,用Karl Suss公司生产的XRS200型软X射线接近式光刻机做光刻试验，取得了一些阶段研究成果。 德国联邦工程物理研究所研究了Carbon激光等离子体、Iron激光等离子体、Gold激光等离子体。采用 Na玻璃激光器。光学件平面镀多层膜材料为 Mo、Si，共 30层对，反射率可达70%。光学件球面多层膜反射率达60%。光学件由美国劳伦斯· 利弗莫尔国家实验室( LLNL)研制。该研究中心曾做过1∶1和1∶10软 X射线投影光刻试验，取得了0.13μm线宽极限的成果;美国以 ATT贝尔研究所、劳伦斯· 利弗莫尔国家实验室为中心，约有近百位研究人员进行X射线投影光刻技术的光学系统、多层反射膜技术、激光等离子体光源、反射式掩模的研究工作 ,美国政府支持 2000万美元开展这项工作，并计划用 5亿美元使其技术商品化 , 2004年研究出样机 , 2007年使其商品化。