2集成封装工艺流程2013.ppt

内引线焊接 封胶保护 完成内引脚键合后，芯片与内引脚面或整个 IC 芯片必须再 涂上一层高分子胶材料保护引脚、凸块与芯片，以避免外界 的压力、震动、水汽等因素造成破坏。 封胶的材料一般为环氧树脂和硅橡胶。用盖印或点胶的方 法涂布，可覆盖整个芯片或仅涂布完成内引脚键合的芯片表 面。 外引线焊接技术 TAB 的关键技术 芯片凸点制作技术 在进行 TAB 键合前须在 IC 芯片的键合点上或 TAB 载带 的内引线前端先长成键合凸块。 通常 TAB 载带技术也据此区分为凸块化载带与凸块化 芯片 TAB 两大类。 金凸块制作的传统工艺 凸块转移技术 这种技术分 2 次键合 第 1 次键合：将在玻璃基板上做成的凸块，转移到载 带内引脚前端与芯片键合点相对应的位置。 第 2 次键合：在引脚前端有凸点的载带由专门的制造 商提供，避免了在芯片焊区制作凸点的麻烦，降低了 生产成本。 双层结构载带 单层结构载带 三层结构载带 TAB 载带制作技术 （ 1 ）单层结构载带 （ Cu 箔） 仅为一层铜带，其上腐蚀 出引线图案以及支撑结构。 方法是将光刻胶涂在铜带的 两侧。将要刻蚀掉的部分曝 光，腐蚀后留下引线图案。 优点： 价位低，热稳定性好， 适用于高温键合； 缺点： 全部引线与金属支撑 架相连接，妨碍了带上器件 的测试检验和通电老化；易 变形。 （ 2 ）双层结构载带（ Cu-PI 双层） 以铜箔贴附于聚酰亚胺或聚酯高分子膜上组成。 可用两种方法制作。 将高分子材料涂于铜箔上，然后进行蚀刻，窗口和 齿孔用 KOH 或 NaOH 腐蚀出来，再用 FeCl 3 腐蚀液将 铜带上所需图形腐蚀出来。 以微影成像与电镀的方法在高分子膜上直接镀成电 路引脚图形。 优点： 高温稳定性好，可作电性测试，电性能优良； 缺点： 价位高，亦弯曲，容易变形。 （ 3 ）三层结构载带 （ Cu- 粘贴剂 -PI ） 比双层带厚，更稳定，较为常用。 制作方法： 先以冲模的方法制成高分子 卷带，涂上粘着剂粘接铜箔，再以蚀刻 方法制成电路引脚图形。 优点： 胶带和铜之间有很高的结合强度， 且绝缘性能好，吸湿性低，允许电性测 试，适合大规模生产。 缺点： 制成复杂，成本高，不适合高温 接合 TAB 技术的关键材料 基带材料： 要求耐高温，与金属箔粘贴性好，热匹配性 好，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低。 例如：聚酰亚胺（ PI ）、聚乙烯对本二甲酸脂（ PET ）和 苯并环丁烯（ BCB ） TAB 金属材料： 要求导电性能好，强度高，延展性、表 面平滑性良好，与各种基带粘贴牢固，不易剥离，易于 用光刻法制作出精细复杂的图形，易电镀 Au 、 Ni 、 Pb/Sn 焊接材料，例如： Al 、 Cu 。 芯片凸点金属材料： 一般包括金属 Au 、 Cu 、 Au/Sn 、 Pb/Sn 。 TAB 技术较之常用的引线工艺的优点： 对高速电路来说，常规的引线使用圆形导线，而且引线 较长，往往引线中高频电流的趋肤效应使电感增加，造 成信号传递延迟和畸变，这是十分不利的。 TAB 技术采 用矩形截面的引线，因而电感小，这是它的优点。 传统引线工艺要求键合面积 4mil 2 ，而 TAB 工艺的内引线 键合面积仅为 2mil 2 这样就可以增加 I/O 密度，适应超级 计算机与微处理器的更新换代。 TAB 技术中使用铜线而不使用铝线，从而改善器件的热 耗散性能。 在芯片最终封装前可进行预测试和通电老化。这样可剔 除坏芯片，不使它流入下一道工序，从而节省了成本， 提高了可靠性。 TAB 工艺中引线的键合平面低，使器件薄化。 倒装芯片键合技术 倒装芯片键合（ FCB ）是指将裸芯片面朝下，芯片焊区 与基板焊区直接互连的一种键合方法。 在芯片的接垫上预制焊料凸点，然后将芯片倒置，使 芯片上的焊料凸点与基板对位，以回流热处理配合焊锡熔 融时的表面张力效应使焊锡成球并完成接合。 属于平面阵列式的接合，而非连线接合及 TAB 仅能提供 周列式式的接合，故 FCB 可应用于极高密度电子封装。 FCB 省掉了互连引线，互连线产生的互连电容、电阻和 电感均比 WB 和 TAB 小很多，电性能优越。 ? UBM 芯片上的凸点，实际上包括凸点及处在凸点和铝电极之 间的多层金属膜 (Under Bump Metallurgy) ，一般称为 凸点下金属层（ UMB ），主要起到粘附和扩散阻挡的作 用 UBM 一般有三层，分别为铬 / 铬 - 铜（ 50%-50% ） / 铜 FCB 技术 — 焊锡凸点制作 ? 芯片凸点的类型 ? 按材料可分为焊料凸点、 Au 凸点和 Cu 凸点等 焊锡凸点： 高熔点 95% 铅 -5% 锡合金 低熔点 51% 铟 -32.5% 铋 -16.5% 锡、 63% 铅 -37% 锡 、