高电压-气体放电的基本物理过程备课讲稿.ppt

高电压-气体放电的基本物理过程;主要内容;气体放电;原子激励和电离 ; ;一、气体中带电质点的产生和消失 ;热电离 ;光电离 ;碰撞电离 ;原子中电子在外界因素的作用下可跃迁到能级较高的外层轨道，称之为激励，所需的能量称为激励能 原子或分子在激励态再获得能量而发生电离称为分级电离，此时所需能量为Wi-We 通常分级电离的概率很小，因为激励态是不稳定的 ;电极（阴极）表面电子逸出 ;电极（阴极）表面电子逸出;气体中负离子的形成 ;气体中带电质点的消失;电场作用下气体中带电质点的运动;带电质点的扩散 ;带电质点的复合 ;二、气体放电的一般描述 ;辉光放电 ;20;电弧放电 ;22;火花放电;24;电晕放电 ;26;27;气体放电的一般规律;2.2 放电的电子崩阶段;高电压工程基础;非自持放电;自持放电;由非持放电转入自持放电的电压称为起始电压U0 如电场比较均匀，则间隙将被击穿，此后根据气压、外回路阻抗等条件形成辉光放电、火花放电或电弧放电，而起始电压U0也就是间隙的击穿电压Ub 如电场极不均匀，则当放电由非自持转入自持时，在大曲率电极表面电场集中的区域发生电晕放电，这时起始电压是间隙的电晕起始电压，而击穿电压可能比起始电压高很多; 二、电子崩的形成 ;1、电子崩的形成 （? 过程 ）;高电压工程基础;乘以电子的电荷 ，即得电流关系式： 上式表明：虽然电子崩电流按指数规律随极间距离d而增大，但这时放电还不能自持，因为一旦除去外界电离因子(令因为I0 = 0时I = 0)， 即I变为零。 ;质点的平均自由行程 ;气体中电子和离子的自由行程是它们和气体分子发生碰撞时的行程 电子的平均自由行程要比分子和离子的大得多 气体分子密度越大，其中质点的平均自由行程越小。对于同一种气体，其分子密度和该气体的密度成正比;自由行程的分布： 具有统计性的规律。质点的自由行程大于x的概率为 如果起始有n0个质点（或一个质点的相继n0次碰撞），则其中行过距离x后，尚未被碰撞的质点数（或次数）n(x)应为 ;三 碰撞电离系数 ;实际自由行程长度等于或大于xi的概率为 根据碰撞电离系数 的定义，即可得出：;当气温 不变时，1／? ＝Ap，并令AUi＝B，有：; 所以，在高气压和高真空下，气隙不易发生放电现象，具有较高的电气强度。;2.3、自持放电的条件;Pd值较小时的情况;汤逊放电判剧;;自持放电的物理含义 ; 当自持放电条件得到满足时，就会形成图解中闭环部分所示的循环不息的状态，放电就能自己维持下去 ; 利用汤逊理论的自持放电条件 以及碰撞电离系数 与气压 、电场强度 的关系式(当气温 不变时)，并考虑均匀电场中自持放电起始场强;气体击穿的巴申定律;巴申（Paschen）定律 　１.上式所示规律在汤逊理论提出之前就由物理学家巴申从实验中得出，称为巴申定律。 （U形，应用） 　２. 巴申曲线表明，改变极间距离d的同时，也相应改变气压p而使pd的乘积不变，则极间距离不等的气隙击穿电压却彼此相等;物理解释：; 应当指出，上述巴申定律是在气温T保持不变时得出的。在气温T并非恒定的情况下，式２-２１应改为：;汤逊放电理论的适用范围;汤逊放电理论的适用范围; 气体放电流注理论以实验为基础，它考虑了高气压、长气隙情况下不容忽视的若干因素对气体放电的影响，主要有以下两方面：; pd值较大时放电过程也是从电子崩开始的，但是当电子崩发展到一定阶段后会产生电离特强、发展速度更快的新的放电区，这种过程称为流注放电 电子崩阶段 空间电荷畸变外电场 流注阶段 光电离形成二次电子崩，等离子体 ;（一）空间电荷对原有电场的影响 ;（二）空间光电离的作用 ; 如图所示：如果这时产生的光子位于崩头前方和崩尾附近的强场强区，则造成的二次电子崩将以更大的电离强度向阳极发展或汇入崩尾的正离子群中。;流注条件 ;实验研究所得出的常数值为：;流注理论可以解释汤逊理论无法说明的pd值大时的放电现象。 1.放电为何并不充满整个电极空间而是细通道形式，有时火花通道曲折形 二次电子崩在空间的形成和发展带有统计性，所以火花通道常是曲折的，并带有分枝;电子崩不致影响到邻近空间内的电场，不会影响其它电子崩的发展，因此汤逊放电呈连续一片 2. 如放电时延为什么远小于离子穿越极间距离的时间 光子以光速传播，所以流注发展速度极快，这就可以说明pd很大时放电时间特别短的现象。 3. 再如为何击穿电压与阴极材料无关等 维持放电自持的是空间光电离，而不是阴极表面的电离过程，这可说明为何很大Pd下击穿电压和阴极材料基本无关了 必须指出，两种理论各适用于一定条件的放电