2020可编程逻辑器件.pptVIP

（四）六管静态存储单元 闪速存储单元的可再编程能力约为 10 万次左右，但还是不 及 SRAM 那样有无限制的再编程能力，以 SRAM 为存储单元的 现场可编程门阵列（ FPGA ）可以实现无限次从一种运行逻辑 转换到另一种运行逻辑的功能。 下图是 SRAM 六管存储单元，由两个具有有源下拉 n 沟道晶 体管和有源上拉 p 沟道晶体管交互耦合的倒相器组成。 高和低电平是用具 有分别到电源 U CC 和地 GND 的低阻抗通道的有 源器件定义的两个电平。 D 1 、 D 2 为两个传输 NMOS 管，其栅极接到 字线，源极分别接到两 条互补的位线上，起传 输作用。 第三节 可编程只读存储器 PROM 和可编程逻辑阵列 PLA 一、可编程只读存储器 PROM PROM 的结构是 与阵列固定 、 或阵列可编程 的 PLD 器件。 对于有大量输入信号的 PROM ，比较 适合作为存储器 来存放 数据，它在计算机系统和数据自动控制等方面起着重要的作 用。 例 1 ： 下图是一个 8 （字线）× 4 （数据）的存储器数据阵列图。 对于较少的输入信号组成的与阵列固定、或阵列可编程 的器件中，也可以很方便地 实现任意组合逻辑函数 。 3 线 -8 线译码器 8 × 4 存储单元矩阵 输出缓冲器 地址码输入端 数据输出端 字线 由地址译码器选中不同的字线，被选中字线上的四位数 据通过输出缓冲器输出。