半导体工艺化学技术概述.pptx

半导体工艺化学技术概述;半导体化学分析;参考书;半导体材料;施主杂质（n型硅材料）：P、As、Sb、Bi 受主杂质（p型硅材料）：B、Al、Ga、In;半导体材料的种类;硅半导体 Si的物理、化学性质： 物理性质： ;Si的化学性质：;不与HCl、H2SO4、HNO3及王水反应，能与HNO3+HF或NaOH反应 Si + 4HNO3-----SiO2 + 4NO2 + 2H2O SiO2 + 6HF------ H2[SiF6] + H2O Si + 2NaOH + H2O------Na2SiO3 + 2H2 能与Cu2+、Pb2+、Ag+、Hg2+等金属离子发生置换反应 Cu2+ + Si ----- Si4+ + Cu 能溶解在熔融的Al、Au、Ag、Sn、Pb等金属中，形成合金 ; 硅 ???导体制造的工序是： 硅单晶拉制?单晶锭?单晶衬底?经许多加工制造工序，成为做好集成电路芯片的硅片?测试后切割成单独的芯片?组装?封装?发送。 ;;高纯多晶硅的制备;多晶硅制备;;SiCl4 氢还原法;SiCl4的提纯 （1）控制氯化温度：450-500℃ （2）精馏法：利用SiCl4混合液中个化学组沸点不同，选取适当温度，将SiCl4于其他化学组分分离开来。 优点：方法简单 缺点：纯度不高（PCl3等杂质沸点相近，难以分离） （3）吸附法：又称固体吸附法，根据化学键的极性来对杂质进行分离。SiCl4满键，为非极性分子，不被吸附。PCl3为极性分子，容易被吸附剂所吸附。 常用的吸附剂为活性氧化铝。 纯化后的SiCl4可达到六个9。 氢还原：SiCl4 + 2H2 ———— Si + 4HCl ;SiHCl3氢还原法;硅烷（SiH4）热分解法;多晶硅制备方法;多晶硅的提纯; 单晶硅拉制;;单晶拉制与衬底制备;晶片的抛光;化学机械抛光;硅片清洗过程;酸性和碱性过氧化氢清洗液的优点;杂质含量;外延;外延生长技术的优点;外延生长;CVD外延生长示意图; CVD外延生长技术;外延层掺杂： （1）液相掺杂：SiCl4+PCl3，以H2作载气，因蒸气压不同，外延层电阻率难以控制。 （2）气相掺杂：SiCl4+PH3 SiCl4+B2H6 外延生长SiO2及多晶硅： （1）SiO2生长：通常使用CO2、H2、SiCl4的混合气体。 CO2+H2——H2O+CO（1150 ℃） SiCl4+H2O——SiO2+HCl 通过控制CO2的量就可控制H2O的生成量，从而控制SiO2生长速率。 （2）多晶硅的生长： SiCl4+H2——Si+HCl 因Si在SiO2上难以成核，即使长上质量也不理想，故工艺中一般先断SiCl4，通H2，将SiO2转化为一层薄薄的SiO层 SiO2+H2——SiO+H2O;外延氮化硅;氧化; 热氧化生长法 热氧化生长法又分为干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化和掺氯氧化五种。 （1）干氧氧化 ~1000℃ Si + O2 ======== SiO2 优点：SiO2膜光洁，致密，与光刻胶粘润良好，光刻时不易产生浮胶现象。 缺点：氧化速度慢。 （2）水汽氧化法 ~1000℃ Si + 2H2O ======== SiO2 + 2 H2 优点：速度快。 缺点：①疏松，不致密。 ②表面有吸附水分子与Si生成的硅烷醇。 H2O + Si-O-Si —— 2(Si-OH) 因此与光刻胶粘润不好，易产生浮胶。 ;（3）湿氧氧化法 O2 + H2O 可根据干氧与水汽的比例，调节氧化速度。 生产中常用干氧——湿氧——干氧的工艺生长SiO2膜，前段生成致密层，中段加快生长速度，后段使结构致密，清除Si-OH。 2(Si-OH) + Si-Si ? 2(Si-O-Si) + H2 （4）氢氧合成法 通入高纯H2及O2，在高纯下合成水汽后，与硅反应生成SiO2层。 优点：此法可消除去离子水纯度不高或水浴瓶之类的器皿沾污。 （5）掺氯氧化法 干O2+Cl2 或 干O2+HCl（3-6%） 优点：① HCl可清洁氧化炉管，减少Na+沾污