半导体器件物理_第八章pn结二极管.ppt

半导体器件物理_第八章pn结二极管.ppt

  1. 1、本文档共90页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 对复合电流密度和扩散电流密度求对数: 结果说明对于这两种电流密度,随电压变化的关系是不同的,在ln(J)~V曲线上,两者有不同的斜率 * §8.3 产生-复合电流:总的pn结正偏电流 将上述两个关系式绘成曲线则如下图所示,图中同时还包含了PN结中总的正偏电流密度的变化关系 * §8.3 产生-复合电流:总的pn结正偏电流 由此图中可见,在小电流区域,正偏PN结中以空间电荷区复合电流为主,而在大电流区域,则以理想PN结的扩散电流为主。一般情况下正偏PN结的电流为: 其中n称为理想因子,一般介于1和2之间。 问题:理想因子是大了好,还是小了好? * §8.3 产生-复合电流:总的pn结正偏电流 §8.4 结击穿 在上一节的学习中,我们已经知道了在实际的PN结二极管中,正偏电流在一些因素的影响下会偏离理想特性。 而反偏产生电流的存在同样使得PN结偏离反向特性。 在实际的PN结中,反向电流随偏压增大而不饱和,并且在一定的偏压下会发生电流突然增大的现象,这称为结击穿,相应的电压称为击穿电压。 * §8.4 结击穿: 电击穿过程本身是非破坏性的,但必须用外围电路来限制最大电流,避免pn 结发热,热击穿是不可恢复的,是破坏性的。 pn 结电击穿有两种重要的机制:雪崩倍增和隧道效应。 * §8.4 结击穿:两种机制 雪崩倍增击穿原理 PN结反向时,外加电场增加了空间电荷区的电场强度。在电场作用下,空穴将向电源负极移动,电子向电源正极移动;当P区的电子向电源正极移动的过程中穿越势垒时,将受到势垒电场的加速。反向电压越高,势垒区中电场越强;若电场足够强,电子获得了足够的动能和原子碰撞,将晶格的共价键破坏,产生一个电子-空穴对,这一过程被称之为碰撞电离。这些新产生的电子-空穴对再从电场中获得动能,进一步产生电子-空穴对,这种连锁过程称之为雪崩倍增。 E Ec Ev * §8.4 结击穿:雪崩击穿 在电场作用下,新产生的电子和空穴会朝着相反的方向运动,于是形成了新的产生电流。新的产生电流叠加在原有的电流上。导致反向电流迅速增大。 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 假设反偏PN结中由P型区进入耗尽区中x=0处的电子电流为In0,如下页图所示,由于雪崩倍增效应电子电流In在耗尽区中不断增加,在x=W处电子电流增加为: 雪崩倍增过程中流过PN结空间电荷区的电子电流和空穴电流变化关系如图所示。 倍增因子 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 在某一点x处的增量电子电流表达式可以写为: 其中, 与 分别为电子和空穴的电离率。 电离率:单位电子或单位空穴在单位长度内通过碰撞产生的电子-空穴对的数量 注意,电子的碰撞电离过程和空穴的碰撞电离过程都同时产生了电子和空穴,因而电子电流增量和空穴的电离率也有关系。 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 总电流在空间电荷区内保持不变,即: 假设电子和空穴的电离率相同,即: 可得到: * §8.4 结击穿:雪崩击穿 在整个空间电荷区内积分可得: 可以注意到: 使倍增因子达到无穷大的电压定义为雪崩击穿电压。因此产生雪崩击穿的条件为: 怎么理解? * §8.4 结击穿:雪崩击穿 电离率是电场的函数,因此该式不是很容易计算,我们在特定条件下来计算击穿场强 假定有P+N结,其最大场强为: 耗尽区宽度xn可以求得: 注意,忽略了内建电势差,这代表着反向偏压较大时的情况 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 我们假定此时PN结击穿,因而反向偏压VR为击穿电压VB,则相应地最大场强Emax就是临界场强Ecrit,通过xn和Emax的表达式,我们可以求出: 其中NB为单边结中低掺杂一侧的掺杂浓度。 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 线性缓变PN结与单边突变PN结击穿电压的对比 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 雪崩击穿特点: 空间电荷区要有一定宽度;如果空间电荷区太窄(小于一个平均自由程),既使是载流子的能量再高,电离能力再强,不发生碰撞也无法产生雪崩现象。 雪崩击穿电压较高,击穿曲线比较陡直(硬击穿); 一般Ge、Si 器件,雪崩击穿电压在 6Eg/e 以上。 雪崩击穿的击穿电压VB 具有正温度系数。随着温度的提高,散射增强,载流子的平均自由运动时间减少,导致动能不易积累,使电离率降低,击穿电压提高。 * §8.4 结击穿:雪崩击穿 隧道击穿(齐纳击

文档评论(0)

别拿青春赌明天 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档