XXXX年高级电工电力电子部分12章.pptVIP

2.3 半控型器件 —— 晶闸管 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 2.3 半控器件—晶闸管·引言 ■ 晶闸管（ Thyristor ）是 晶体闸流管 的简称，又称作 可控硅整流器 （ Silicon Controlled Rectifier —— SCR ） ，以前被简称为 可控硅 。 ■ 1956 年美国贝尔实验室（ Bell Laboratories ）发明了晶闸管，到 1957 年美国通用电气公司（ General Electric ）开发出了世界上第一 只 晶闸管产品，并于 1958 年使其商业化。 ■ 由于其能承受的 电压和电流容量 仍然是目前电力电子器件中最高 的，而且工作可靠，因此在 大容量 的应用场合仍然具有比较重要的地 位， 20 世纪 80 年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代。 晶闸管及模块 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 ■ 晶闸管的结构 ◆ 从外形上来看，晶闸管 也主要有 螺栓型 和 平板型 两种封装结构 。 ◆ 引出 阳极 A 、 阴极 K 和 门 极（控制端） G 三个联接 端。 ◆ 内部是 PNPN 四层半导 体结构。 ◆ 螺栓型 ：散热效果差， 用于 200 Ａ 以下容量的元 件； 平板型 ：散热效果好， 用于 200 Ａ以上的元件。 图 2-7 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 图 2-8 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 ■ 晶闸管的 工作原理 ◆ 按照晶体管工作原理， 可列出如下方程： 1 1 1 CBO A c I I I ? ? ? 2 2 2 CBO K c I I I ? ? ? G A K I I I ? ? 2 1 c c A I I I ? ? （ 2-2 ） （ 2-1 ） （ 2-3 ） （ 2-4 ） 式中 ? 1 和 ? 2 分别是晶体管 V 1 和 V 2 的共基极电流增益； I CBO1 和 I CBO2 分别是 V 1 和 V 2 的共基极漏电流。 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 ◆ 晶体管的 特性 是：在低发射极电流下 ? 是很小的，而当 发射极电流建立起来之后， ? 迅速增大。 ◆ 在晶体管 阻断状态 下， I G =0 ，而 ? 1 + ? 2 是很小的。由上式 可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管 漏电流之和。 ◆ 如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致 ? 1 + ? 2 趋近于 1 的话，则理论上，流过晶闸管的电流 I A （阳极电流） 将趋近于 无穷大 ，从而实现器件 饱和导通 。 ◆ 由于外电路负载的限制， I A 实际上会维持 有限值 。 ) ( 1 2 1 CBO2 CBO1 G 2 A ? ? ? ? ? ? ? ? I I I I 由以上式（ 2-1 ） ~ （ 2-4 ）可得 (2-5) 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 ■ 除门极触发外其他几种可能导通的情况 ◆ 阳极电压升高至相当高的数值造成 雪崩效应 ◆ 阳极电压上升率 d u /d t 过高（结电容） ◆ 结温 较高 ◆ 光触发 ■ 这些情况除了 光触发 由于可以保证控制电路与 主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 之外，其它都因不易控制而难以应用于实践。只 有 门极触发 是最精确、迅速而可靠的控制手段。 2.3.2 晶闸管的基本特性 ■ 静态特性 ◆ 正常工作时的特性 ? 当晶闸管承受 反向电压 时，不论门极是否有触发电流， 晶闸管都不会导通 。 ? 当晶闸管承受 正向电压 时，仅在 门极 有 触发电流 的情 况下晶闸管才能开通 。 ? 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触 发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。 ? 若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外 电路的作用使流过晶闸管的 电流降到接近于零的某一数值 以下 。 开通条件与关断条件举例 2.3.2 晶闸管的基本特性 ◆ 晶闸管的伏安特性 ? 正向特性 √ 当 I G =0 时，如果在器件 两端施加正向电压，则晶 闸管处于正向 阻断状态 ， 只有很小的正向漏电流流 过。 √ 如果正向电压超过临 界极限即 正向转折电压 U bo ，则漏电流急剧增大， 器件 开通 。 √ 随着 门极电流幅值 I G 的 增大， 正向转折电压 降低， 晶闸管本身的管压降很小， 在 1V 左右。 √ 如果门极电流为零， 并且阳极电流降至接近于 零的某一数值 I H 以下，则 晶闸管又回到 正向阻断 状 态， I H 称为 维持电流 。 图 2-