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全国2018年 4月高等教育自学考试电子技术基础(一 > 试卷
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分>
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号 内。错选、多选或未选均无分。 b5E2RGbCAP
. N型杂质半导体中,多数载流子是 (>
A .正离子B .负离子
C.空穴D .自由电子
?理想二极管构成的电路如题 2图所示,则输出电压 Uo为(>
-5V
+5V
+10V
+15V
3 .测得电路中某晶体三极管
A .放大状态
B .饱和状态
C.截止状态
题2图
(锗管>各管脚的电位,如题3图所示,则可判定该管处在 (
D .不确定状态
4 .测得某放大状态的晶体三极管,各管脚的电位如题
4-2V
4图所示,则可判定该管为(>
A.
B.
C.
D.
5.
PNP型管,①是e极
PNP型管,③是e极
NPN型管,①是e极
NPN型管,②是e极
F列基本放大电路中,有电压放大作用无电流放大作用的是 (■ >「彳
A .共射极放大电路B .共集电极放大电路
C.共基极放大电路
D.共源极放大电路
6.题6图所示特性曲线是(> A. P沟道增强型管的转移特性
B . P沟道耗尽型管的转移特性
C. N沟道增强型管的转移特性
题名图
D. N沟道耗尽型管的转移特性
TOC \o 1-5 \h \z .为了使输出电阻降低,在放大电路中应引入交流 (
A ?串联负反馈B ?并联负反馈
C.电压负反馈D ?电流负反馈
.已知某放大电路的电压放大倍数为 104,则该电压放大倍数用分贝表示为 (
A . 40dBB . 60dB
C. 80dBD . 100dB
.乙类互补对称功率放大电路会产生 (
A .频率失真B .交越失真
C.饱和失真D .截止失真
单相桥式整流电路,已知输出电压平均值 Uo=9V,则变压器二次侧电压有效值应为 (
A . 4.5VB . 4.5 V
C. 9VD . 10V
逻辑函数F=A + C的最小项表达式为(
B , C= Em(0, 2, 4, 5A . F(A , B, C=刀
B , C= Em(0, 2, 4, 5
C. F(A , B, C= Em(1 , 2, 5, 6D . F(A , B , C= Em(1 , 3, 5, 6
三位二进制编码器,可实现的编码状态为 (
A . 2个B . 4个
C. 8个D . 12个
下列与或逻辑函数式 F=ABC+A 具有相同逻辑功能的为(
F=ABB . F=A
C. F=A(— D . ABC+
14.逻辑电路如题14图所示,其输出函数表达式为 (
A.F=
A.
F=
B.
F=1
C.
F=A
D.
F=0
题14图
15.集成双向移位寄存器 74LS194应用电路如题15图,该电路初始状态为 QqQ1Q2Q3=0001
2 / 5CP血
2 / 5
CP
血 Q] 02 5
I
SI
—
74LS194
SO
—1
Dsi. Dn Di 02 Dh Dsjt
-
L
题15图
,则经过三个CP后,电路的状态应为 QoQiQ2Q3=( >p1EanqFDPw
TOC \o 1-5 \h \z 0100
0001
1000
0010
二、填空题(本大题共9小题,每空1分,共9分> 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
晶体三极管甲的 =200, Icbo=10 A,晶体三极管乙的 =80, Icbo=0.2 A,两管比
较,可判定是晶体三级管 的性能好。DXDiTa9E3d
由NPN型管构成的基本共射放大电路,若静态工作点偏低 (即Ibq小,Icq小>,将容易产
生 失真。RTCrpUDGiT
18?放大电路中的负反馈有 4种组态,若要求输入电阻高,输出电阻高,在放大电路中应
引入 负反馈。5PCzVD7HxA
在双端输入的差动放大电路中,知 Ui1=8mV,Ui2=4mV,则共模输入信号uic= m
V。jLBHrnAlLg
晶体管V1的可=50,晶体管V2的 =30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的 p
约为 . XHAQX74J0X
8421BCD。21.与十进制数(31>d相对应的8421BCD
8421BCD。
22.函数F=A目+BC+列的最简与或表达式为F=
23?由主从JK触发器构成的电路如题 23图所示,此电路
实现了 功能。
24.由555定时器构成的单稳态触发器,施密特触发器,多
谐振荡器三种电路中, 电路接通电源后能自
动产生脉冲信号。
三、分析计算题(本大题共5小题,每小题8分,共40分>
25.放大电路如题 25图所示,知 Ucc=12V,Rb=120K ,Re=Rl=4K , =40,
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