第14章MOS开关电容电路.pptVIP

第 14 章 MOS 开关电容电路 概述 14.1 开关电容等效电阻电路 14.2 开关电容积分器 14.3 开关电容低通滤波器 作业 概述 MOS 开关电容电路 (SC 电路 ) 是 由 MOS 模拟开关和 MOS 电 容组成 ，电路在时钟信号的控制下， 完成电荷的存储和 转换 。它和运放、比较器等基本电路组合起来，可以构 成多种功能的电路。如 SC 等效电阻电路、 SC 积分电路、 SC 滤波电路等。 为了突出对开关电容基本工作原理的论述， 假定各元 件具有理想特性 ，即模拟开关的导通电阻为零，关断电 阻为无限大，不存在寄生电容；并假定模拟开关栅电压 的设计满足使开关正常工作的条件。此外还假定 MOS 电 容没有损耗；不考虑时钟信号的上升、下降沿；运算放 大器的增益和输入电阻足够高，并且频带足够宽。 用 MOSFET 构成的模拟开关可 用简单的单掷开关符号表示。 14.1 开关电容等效电阻电路 SC 等效电阻电路 由 MOS 模拟开关和 MOS 电容组成， 这种电路可以等效为一个电阻。 根据 MOS 开关和 MOS 电容在电路中的连接方式不 同，可以分为串联型和并联型两种。 规定所有的 MOS 开关和 MOS 电容均接在串臂的， 称为 串联型 。 MOS 开关或 MOS 电容或它们两者均接在并臂的， 称为 并联型 。 一、并联型开关电容等效电阻电路 两个 MOS 模拟开关管 M1 、 M2 分别受两 相互补时钟控制，它们具有同频、相位 相反、振幅相等而不重叠的特性。 当φ为高电平时， M1 导通 M2 截止， 相当于简化图中的开关 S1 接向 l 端。电 压 V1 向电容 Cl 充电至 V1 ，此时电容 C1 上储存的电荷量为 Q 1 ＝ C l .V 1 。 当φ为低电平时， M2 导通 M1 截止，相当于开关 S1 接向 2 端。电容 C1 通过 2 端的负载放电形成电压 V2 ，电容 Cl 上 储存的电荷量为 Q 2 ＝ C l .V 2 。在这个过程中，通过电容 C1 从 1 端传送至 2 端的电荷量△ Q 为 当电容 C1 固定时， 改变时钟频率可以调节等效电阻的大小 。 同时，只要精确控制时钟频率和电容 C1 的数值，就可以得到精 确的等效电阻。而要做到这一点，比直接做一个精确的电阻要容 易得多，而且可以缩小芯片面积。例如，一般 MOS 电容 C1 的数值 在 0.1 ～ 100pF 左右，如果取 C1 ＝ lpF ，时钟频率 fc ＝ 100kHz ，则 可得到一个10MΩ的等效电阻。而一个 lpF 的 MOS 电容的面积约为 0.0lmm 2 ，为制造10MΩ电阻所需面积的 1 ％。故 采用 MOS 模拟开关 电容电路代替电阻，将大大有利于 MOS 模拟电路集成度的提高 。 时间常数将只取决于时钟频率和两个电容 Cl 和 C 的比值。而时钟 频率通常比较稳定、准确，所以 时间常数将主要取决于 C1 ／ C 。在 MOS 集成电路工艺中，两个电容的比值主要取决于电容的版图设计 尺寸和光刻偏差，这些是比较容易控制的。所以， 把电阻比和时 间常数的精确控制归结到电容比值的控制是非常有利的 。 开关电容电路易于实现稳定、准确的时间常数。而在模拟电路 中常遇到与时间有关的特性，如频率特性、延迟特性等，因此 MOS 开关电容电路得到了广泛的应用，并促进了模拟集成电路的 发展。 要注意两个条件： (1) 采样频率 fc 应比信号最高频率 fs 高得多，即要求 fcfs ， 才能使被采样的信号不失真地被还原。 (2)1 端和 2 端的电压 V1 和 V2 不能受开关闭合的影响，这样可 避免开关闭合时，引起电路瞬变和瞬时信号电平的变化。 二、串联型开关电容等效电阻电路 当φ为高电平时， M1 导通 M2 截止， 电容 C1 上存储电荷量 Q 为： Q ＝ C1(V1- V2) 。 当φ为低电平时， M2 导通 M1 截止，电容 C1 通过 M2 放电， 电容 C1 上电荷量变为零。 在开关接通和断开的一个周期 Tc 内，电容 C1 上的电荷 变化量△ Q 为：△ Q ＝ C1(V1-V2) 。可见，△ Q 与并联型 SC 等效电阻电路在开关接通和断开的一个周期内电容 C1 上 的电荷变化量相同。所以此电路在一个周期 Tc 内， 1 端 向 2 端传递的平均电流和此电路的等效电阻 R eff 的表达式， 与并联型 SC 等效电阻电路的相同。 14.2 开关电容积分器 当 fc 一定时，