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位错密度的测量 XRD和TEM均可以用来测定金属材料中的位错密度，两者有所区别。 （1）首先，TEM方法给出的是微区的位错密度，而XRD给出的是材料宏观区域的位错密度。用TEM方法测定材料位错密度时必须考虑材料组织的不均匀性。 （2）一般情况下，TEM方法仅适用于低形变量、较低位错密度的材料，而XRD则对形变量无要求。 Williamson 和 Hall(WH)在上世纪五十年代提出了由晶粒尺寸和微应变引起的衍射峰宽化模型计算位错密度的方法 XRD测定位错密度 Williamson 和 Hall(WH)在上世纪五十年代提出了由晶粒尺寸和微应变引起的衍射峰宽化模型计算位错密度的方法，称为WH方法。 （1） 为由晶面间距的变化(位错、 固溶原子等引起晶格畸变)造成的衍射半高宽； （2） 为由相干衍射域颗粒尺寸细化(晶粒、层错以及孪晶尺寸)造成的半高宽 （3） 分别为所测试样和标准无变形试样的半高宽 （4） 为{hkl}衍射峰半高宽 XRD测定位错密度 XRD测定位错密度 TEM观察位错 1、对位错组态的观察 2、探索位错胞的形成机理
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