第二章噪声低噪声前置放大和屏蔽接地技术.pptVIP

第二章 噪声、低噪前置放大与屏蔽接地 微弱信号检测 (Weak Signal Detection) 1/f 噪声 是由两种导体的接触点电导的随机涨落引起的，凡是有导 体接触不理想的器件都存在 1/f 噪声，所以 1/f 噪声又称为接触噪声。 因为其功率谱密度正比于 1/f ，频率越低噪声越严重，所以又称为 低频噪声 第二章 噪声、低噪前置放大与屏蔽接地 微弱信号检测 (Weak Signal Detection) 爆裂噪声 是一种流过半导体 PN 结电流的突然变化。通常的爆裂噪声 电流只在两种电流值之间切换，取决于半导体制作工艺和材料中杂 质的情况，其出现的几率可在每秒几百个到几分钟一个之间变化。 它是电流型噪声，在高阻电路中影响更大。 第二章 噪声、低噪前置放大与屏蔽接地 微弱信号检测 (Weak Signal Detection) （ 4 ） 场效应管的噪声 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种。若按 导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为 耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管。而 MOS 场效 应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型； P 沟耗尽型和增强型四大类。