第4章+集成电路制造工艺 教学内容.pptVIP

第4章+集成电路制造工艺 ;;集成电路芯片的显微照片; 集成电路工艺; 集成电路工艺; 集成电路工艺;PMOS型;一、双极型集成电路工艺流程;一次氧化;（1）衬底选择 对于典型的PN结隔离(Isolation)双极集成电路，衬底一般选用 P型硅。芯片剖面如图。 ;（2）第一次光刻-N+隐埋(buried)层扩散孔光刻 一般来讲，由于双极型集成电路中各元器件均从上表面实现互连，所以为了减少寄生的集电极串联电阻效应，在制作元器件的外延层和衬底之间需要作N+隐埋层。;（3）外延层(Epitaxial layer)淀积 外延层淀积时应该考虑的设计参数主要有：外延层电阻率和外延层厚度。外延层淀积后的芯片剖面如图。 ;（4）第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻 隔离扩散的目的是在硅衬底上形成许多孤立的外延层岛，以实现各元件间的电隔离。 目前最常用的隔离方法是反偏PN结隔离。一般P型衬底接最负电位，以使隔离结处于反偏，达到各岛间电隔离的目的。;（5）第三次光刻——P型基区扩散孔光刻 基区扩散孔的掩模版图形及基区扩散后的芯片剖面图如图所示。 ;（6）第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻 此次光刻还包括集电极、N型电阻的接触孔和外延层的反偏孔。;（7） 第五次光刻——引线接触孔光