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Nand Flash 简明自学资料 ——助您理解 datasheet 要点 内容清单： 一 技术常识部分 1、逻辑组成 2 、常见参数 3、地址结构 二 基本操作、时序图部分 *通用引脚符号声明 1、Read—读 2 、Program—写 3、Block Erase—擦除 4 、其它 *时序图要点讲解 编写目的： 从编程操作角度，简介一些有助于理解 nand flash datasheet （数据手册）上 相关内容的要点。 编写原因：  各种 nand flash 英文 datasheets 上的内容虽详尽但繁杂，有些业内常识性的 东西没交代清楚，给初学者造成困扰；  不同的 datasheets 都有一些共通的要点（基本架构、指令和符号等），了解 这些后再看 datasheet 的操作命令和时序图部分会省力很多。 一 技术常识部分 1、逻辑组成 （1） 功能结构抽象图 注：1）Cache 有时也被称为 Cache register. （严格来讲应称为缓冲区buffer ）； 2）上述 Data 指的是输入/输出数据 （即Input/Output Data，简称 I/O Data），因为 从广义上讲所有能存取于硬件设备上的资料都可称为 Data ，包括图中的 ECC 码 （Error Correcting Code ），所以 Page register.也可被称为 Data register. （数据寄存 器）； 闪存层次结构 （2） Page （页）：对 nand flash 进行读写操作的逻辑单位，一般容量为几到十几 KB ； 附有额外的小存储区域，这里存储ECC 码等附加信息。 Block （块）：许多 page 构成一个 block ，是擦除的操作单位；一般产品出厂时都有invalid /bad block （坏块），已由厂家在对应block 里作相应标示，操作时不能清除这些 标注信息，每个 flash 的第一个block （编号 00h ）是在出厂时是好的，用于存储 invalid / bad block table （坏块表）；使用过程中也会产生坏块，发生操作失败时 （即使用ECC 技术检测到有不可纠正错误时），要将相应的坏块标出，升级坏块 表，改写逻辑地址与物理地址的映射。 。 1 Plane （层）: 可将 flash 里众多的 block 分成不同的层，并使用多层操作指令以提高存 取效率。 此外，根据 flash 容量大小，还可定义更高一级的存储单位，如 LUN （Logic Unit Number ）； 一个 device 可集成多个 flash chip （闪存芯片），工作时可根据它们各自的运行状 态为之安排执行任务，使它们同步运行。 2、常见参数 （注：不同厂商不同时期的不同型号产品参数会有差异，但在一定时期内，相同 / 近的 技术支持使得大部分 flash 参数在数值或数量级上相同 / 近；下面以 Samsung （三星） K9GAG08U0M 的参数为例。 ） （1）Vcc （工作电压）：3.3 V （波动范围：2.7 V—3.6 V ） （2）Memory Cell：2 bit / Memory Cell [ ①上面表示每个 cell 存 2 bit 数据，即所谓 MLC （Mul