MOV+GDT结构与TC(G)结构的分析对比.pdfVIP

SAFETEC的TC(G) 技术和MOV+GDT技术分析对比 此文章针对两种SPD不同的内部电路设计：MOV+GDT和SAFETEC的TC(G)的技术 优劣势分析对比。 一、暂态过电压（TOV）对SPD的致命影响 系统电压波动或某些半导体技术在开关操作会产生的大量过电压（TOV）事件，使MOV 频繁进入低阻抗、半导通状态。如逆变器的每一个开关切换过压事件，都会导致有几百微安 的漏电流通过MOV。这样的过电压和漏电流会导致MOV过热，并加速其老化，其结果导 致这种SPD有一个非常高的“热失控”概率。SPD的寿命大大缩短。 一、MOV+GDT方案 两种元件的优缺点 元件 优点 缺点 有很好的特性曲线 有漏流存在， MOV 响应时间短(25ns) 元件会有老化 电涌过后迅速恢复 和劣化问题 高阻状态,阻断续流 无漏流 电涌过后很难 GDT 放电能力强 遮断续流，导 使用寿命长 致工作电流短 路至大地 1、结合MOV和GDT两者的优劣点，实现以下功能： A．通过串接GDT可以保证常规状态下，MOV无漏流，使MOV使用寿命增加 B．结合了MOV的高续流遮断能力的特点，解决GDT在放电后存在续流的问题。 2、抬高耐压级别而避开TOV GDT在此充当开关的作用，当SPD两端电压达到GDT设定的导通电压时，才会有电 流流过MOV。为了避开TOV的影响，必须选择导通电压更高的GDT。这样SPD的启动电 压更高，电压保护水平（即残压）也会更高，对被保护设备会有损害。 3、MOV失效后无高续流遮断能力 另外，这种结构未考虑MOV劣化失效后，就无法实现高续流遮断能力了。GDT一旦 导通，放电间隙的续流将导致工作电流短路至大地，有起火风险。所以这种结构还是要加后 备保护熔断器。 二、SAFETEC的TC(G)方案，控制MOV温升，防止进入“热失控” A.出现暂态过电压时，TC电路监测MOV的温升，PTC阻值增大，实现限 流分压，控制MOV的温升，保证MOV不会产生激烈的反应。 B.MOV劣化失效后，限流保证脱扣时的漏电流能量，保证安全有效的脱离。 C. 耐受1.5Uc不受时间限制，降低过压事件对MOV的损害，大大减缓MOV的老化速度， SAFETEC的最长理论使用寿命可达20年。 图3TOV暂态过电压耐压测试实验视频截图 如上图，Uc为275V的SPD，两端加载暂态过电压，随着电压的上升和时间延长，流 过MOV的电流却在逐渐在减小，这意味着MOV的温度不会一直上升，MOV不会进入“热 失控状态”。对于单压敏结构的SPD，在这样1.5倍UC的电压下，规范规定在5S之内必 须要脱扣，不然MOV将有起火的风险。 三、SAFETEC产品解决其他方面的技术缺陷和安全隐患 图4 图5 图6 图7 1、可控精准的脱扣器设计 如图4，通过热呈象找到MOV温升时最高温度点，并将此点设为脱扣点，采用激光点 焊技术，把脱扣电极与MOV脱扣点实现面与面焊接（如图5），更直接精准地监测MOV 的温升，一旦达到设计的脱扣温度，脱扣器能精准动作。 2、旋转圆盘熄灭拉弧 如图6，图7所示，在MOV与脱扣电极之间，设计了旋转的圆盘，在脱扣一瞬间，快 速转动的圆盘可以把电弧切断。同时圆盘