华侨大学微电子器件与电路实验实验报告(IC2019)实验7.docxVIP

华侨大学电子工程系 微电子器件与电路实验 ( 集成 ) 实验报告 2019LAB7 微电子器件与电路实验 ( 集成 ) 实验报告 姓名 学号 实验时间 2019.06 操作成绩 报告成绩 实验成绩 实验名称 实验七 集成 MOSFET寄生电容参数提取 实验设备 实验目的  (1) 计算机 (2) 操作系统： Centos (3) 软件平台： Cadence Virtuoso (4) 工艺模型 TSMC RF0.18um 掌握 MOSFET CV特性曲线特点 掌握饱和区 MOSFET栅漏交叠电容 CGD和沟道宽度之间的关系 掌握饱和区 MOSFET漏区 CDD电容和沟道宽度之间的关系 掌握饱和区 MOSFET漏区耗尽电容 CJD和漏端电压之间的关系 实 验 要 求 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据 ( 波形 ) 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室 4、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。实验报告打印后，于下次实验时间缴交。 实 验 内 容： 实验 7.1 NMOS 电容 CV特性分析 给定尺寸的 NMOS，对 VGS进行 DC分析，分析 MOS电容 CV特性，并测得单位面积电容 C□ 。 实验 7.2 PMOS 电容 CV特性分析 给定尺寸的 N