(完整版)硬件电路设计基础知识...docx

PAGE PAGE # PAGE PAGE # 硬件电子电路基础 关于本课程 1第一章半导体器件 §-1半导体基础知识 §-2 PN 结 1 §-3二极管 1 §-4晶体三极管 §-5场效应管 第二章基本放大电路 § 2-1 晶体三极管基本放大电路 § 2-2 反馈放大器的基本概念 § 2-3频率特性的分析法 § 2-4小信号选频放大电路 § 2-5场效应管放大电路 j第三章模拟集成电路 § 3- 1 恒流源电路 § 3-2 差动放大电路 § 3-3 集成运算放大电路 § 3-4 集成运放的应用 § 3-5限幅器（二极管接于运放输入电路中的限幅器） § 3-6 模拟乘法器 第四章功率放大电路 § 4- 1功率放大电路的主要特点 1 § 4-2乙类功率放大电路 | [ § 4-3丙类功率放大电路 | § 4-4丙类谐振倍频电路 第五章正弦波振荡器 § 5- 1反馈型正弦波振荡器的工作原理 § 5-2 LC正弦波振荡电路 § 5-3 LC振荡器的频率稳定度 § 5—4石英晶体振荡器 § 5-5 RC正弦波振荡器  「 第八早 线性频率变换 振幅调制、检波、变频 [ §6—1调幅波的基本特性 §6-2调幅电路 §6— 3检波电路 §6 — 4变频 第七章非线性频率变换 角度调制与解调 一| | § 7—1 概述 ―| § 7 — 2调角信号分析 § 7 — 3调频及调相信号的产生 § 7 — 4频率解调的基本原理和方法 第八章反馈控制电路 : § 8— 1自动增益控制（AGC） § 8— 2自动频率控制（AFC） § 8— 3自动相位控制（APC） PLL 第一章半导体器件 §1半导体基础知识 §-1PN 结 §-1二极管 §1晶体三极管 §-1场效应管 §1半导体基础知识 、什么是半导体 半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。（导电能力即电导率） （如：硅Si锗Ge等+ 4价元素以及化合物） 、半导体的导电特性 本征半导体一一纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。 硅和锗的共价键结构。（略） 1、 半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化 ? 掺杂一一管子 ? 温度 热敏元件 ? 光照一一光敏元件等 2、 半导体中的两种载流子一一自由电子和空穴 ? 自由电子一一受束缚的电子 （－） ? 空穴 一一电子跳走以后留下的坑 （＋） 三、杂质半导体——N型、P型 （前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。 ? N 型半导体 （自由电子多） 掺杂为+ 5价元素。 女口：磷；砷 P—+ 5价 使自由电子大大增加 原理： Si—+ 4价 P与Si形成共价键后多余了一个电子。 载流子组成： o 本征激发的空穴和自由电子一一数量少。 o掺杂后由P提供的自由电子——数量多。 o 空 穴一一少子 o 自由电子一一多子 ? P 型半导体 （空穴多） 掺杂为+ 3价元素。 如：硼；铝 使空穴大大增加 原理： Si—+ 4价 B与Si形成共价键后多余了一个空穴。 B——+ 3价 载流子组成： o 本征激发的空穴和自由电子一一数量少。 o 掺杂后由 B 提供的空 穴一一数量多。 o 空 穴一一多子 o 自由电子一一少子 结论： N 型半导体中的多数载流子为自由电子； P 型半导体中的多数载流子为 空穴 §-12 PN 结 、PN结的基本原理 1、 什么是 PN 结 将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域 2、 PN 结的结构 分界面上的情况： P 区： 空穴多 N 区： 自由电子多 扩散运动： 多的往少的那去，并被复合掉。留下了正、负离子。 （正、负离子不能移动） 留下了一个正、负离子区一一耗尽区。 由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度） 方向： N-- P 大小： 与材料和温度有关。 （很小，约零点几伏） 漂移运动： 由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。 结论： 在没有外加电压的情况下，扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反。总电流为 零。 1、PN结的单向导电特性 1、 外加正向电压时：（正偏） 结论： 势垒高度 PN 结宽度（耗尽区宽度） 扩散电流 2、 外加反向电压时： （反偏） 结论： 势垒高度 PN 结宽度（耗尽区宽度） 扩散电流 （趋近于 0） 此时总电流二反向饱和电流（漂移电流）：15 注：反向饱和电流I5只与温度有关，与外加电压无关。 【PN 结的反向击穿】： ? 齐纳击穿：势垒区窄，较高的反向电压形成的内建电场将价电子拉出共价键，导致反向 电流剧增。 4V ?雪崩击穿：势垒区宽，载流子穿过 PN结时间长，速度高，将价电子从共价键中撞出来, 撞出来的电子再去撞别的价电子，导致反向电流剧增。 7V 当反向