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半导体器件物理复习资料 半导体器件物理复习资料 半导体器件： 导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。（器件的基础结构：金属— 半导体接触 ，p-n 结， 异质结 ，MOS 结构） Physics of Semiconductor 半导体材料 半导体的电导率则介于绝缘体及导体之间。 元素（Element） 半导体： 在周期表第Ⅳ族中的元素如硅（Si） 及 锗（Ge） 都是由单一原子所组成的元素（element） 半导体 。 化合物（Compound）半导体：二元化合物半导体是由周期表中的 两种元素组成 。 几种常见的晶体结构 晶体： 组成固体的原子（或离子） 在微观上的排列具有长程周期 性结构 非晶体： 组成固体的粒子只有短程序， 但无长程周期性 准晶： 有长程的取向序， 沿取向序的对称轴方向有准周期性， 但 无长程周期性 能带的形成 原子靠近→ 电子云发生重叠→ 电子之间存在相互作用→分立的能 级发生分裂。从另外一方面来说， 这也是泡利不相容原理所要求 的。 一个能带只能有 N 个允许的状态；考虑电子有两种自旋状态，故 一个能带能容纳 2N 个电子； 对于复式格子， 每个能带允许的电 子数还要乘上原胞内的原子个数； 对于简并能带， 状态总数要乘 以简并度 。 金属、半导体、绝缘体 金属导体： 最高填充带部分填充； 绝缘体和半导体：T=0K， 最高填充带为填满电子的带 。 T0K， 一定数量电子激发到上面的空带。绝缘体的 Eg 大， 导带 电子极少；半导体的 Eg 小，导带电子较多。根据能带填充情况和 Eg 大小来区分金属、半导体和绝缘体 。 （全满带中的电子不导电； 部分填充带： 对称填充， 未加外场宏 观电流为零。加外场， 电子逆电场方向在 k 空间移动。散射最终 造成稳定的不对称分布， 产生宏观电流（电场方向）。） 有效质量 电子共有化运动的加速度与力的关系和经典力学相 同， 即：m*具有质量量纲， 称为晶体中电子的有效质 量。（能带越宽， 有效质量越小； 能带越窄， 有效质量越大。） m*的意义：晶体中的电子除受到外力， 还受到周期场力。引入 m*， 可得出外力 F 和加速度 a 的简单关系， 把复杂的周期场力 包括到 m*中去了。引入共有化运动速度和有效质量后，可将晶体 中的电子视为经典粒子，将其运动规律等效成自由电子运动规律 。 直接禁带/间接禁带半导体 对砷化镓而言，图中价带顶部与导带最低处发生在相同动量处（p= 0）。因此当电子从价带转换到导带时， 不需要动量转换。砷化镓 也因而被称为直接禁带半导体（direct semiconductor）。硅则被称 为非直接禁带半导体（indirect semicomductor），因为硅中的电子 在能带间转移时， 需要动量转换。直接与非直接禁带结构的差异 对发光二极体与激光等应用相当重要。这些应用需要直接禁带半 导体产生有效光子 。 硅及砷化镓的能带结构。圆圈(○)为价带中的空穴， 黑点(?)为导带中的电子 。 本征载流子浓度 本征半导体： 在恒温下， 连续的热扰动造成电子从价态激发到导 带， 同时在价带上留下等量的空穴。当半导体的杂质远小于由热 产生的电子空穴时， 此种半导体称为本征半导体 。 一个电子占据能量 E 的能态的几率可由费米- 狄拉克分布函数 （Fermi-Dirac distribution function），也称为费米分布函数（Fermi distribution function) 。 对本征半导体而言， 导带中每单位体积的电子数与价带中每单位 体积的空穴数相同； 换言之 ，n = p = ni, n i 称为本征载流子浓度 。 导带的电子浓度 价带中的空穴浓度 质能作用定律 禁带宽度越大本征载流子浓度越小。 我们假设电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密 度。换言之， 费米能级 EF 至少比 E V高 3kT， 或比 EC低 3kT。对 于这种情形， 半导体称为非简并（nondegenerate）半导体 。 半导体变成本征时的温度是由杂质浓度及禁带宽度值而定 。 对于非常重掺杂的 n 型或 p 型半导体,E F 将高于 E C， 或低于 E V 。 此种半导体称为简并（degenerate）半导体 。 迁移率 电子漂移速度正比于所施加的电场， 而比例因子则视平均自由程 与 有 效 质 量 而 定 。 这 个 比 例 因 子 称 为电子迁移率 （electron mobility）， 其单位为厘米 2/伏特 ·秒（cm2/V ·s）。 电子迁移率（ ） 它描述了施加电场影响电子运动的强度 。 迁移率直接与碰撞间的平均自由时间相关， 而平均自由时间则决 定于各种散射