第2章-半导体中的电子状态---光电子材料与技术研究所——首页.pdfVIP

第 4 章 半导体中载流子的统计分布 在一定温度下，并且没有其它外界作用时，半导体的自由 电子和自 由空穴是依靠电子的热 发作用而产生的。一方面对于理想半导体材料， 电子从价带跃迁到导带。对于掺杂半导体，从价带跃迁到导带外，还有 电 子从施主能级跃迁到导带，电子从价带跃迁到受主能级。电离能。同时，电 子从高的能量状态跃迁到低的能量状态，并向晶格放出一定的能量，使 导带中的电子和价带中的空穴不断减少。成为载流子的复合。在一定温 度下，这两个相反的 程达到动态平衡，成为热平衡状态。半导体中的自 由电子和空穴的浓度保持一个稳定值。实际上半导体的导电状态强烈的 依赖于温度的变化。要深入了解半导体的导电性及其它许多性能，必须 知道半导体中载流子浓度分布以及随温度的变化规律。 第一：允许的量子态按能量如何分布；第二： 电子在允许的量子态中的 分布几率。 1、 k 空间中量子态的分布： Z 和 E 的关系 g （E）=dZ/dE ；g （E）：状态密度，在能带中能量为 E 附 近每单位能量间隔内的量子态数。 k 空间中，波矢 k 不能取任意值，k 的允许值为： k = n /L （n =0，±1 ，