第4章 半导体探测器.pptVIP

2、P-N结半导体探测器的类型 1) 扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 2) 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100?g/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。 3、半导体探测器的输出信号 1) 输出回路 须考虑结电阻Rd和结电容Cd，结区外半导体材料的电阻和电容RS，CS。 测量仪器 2) 输出信号 当 R0(Cd+Ca) tc ( tc为载流子收集时间 )时，为电压脉冲型工作状态： 辐射在灵敏体积内产生的电子－空穴对数 脉冲后沿以时间常数R0(Cd+Ca) 指数规律下降。 脉冲前沿从粒子入射至全部载流子被收集(tc)。 但是，由于输出电压脉冲幅度h与结电容Cd有关，而结电容 随偏压而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使 h 发生附加的涨落， 不利于能谱的测量；为解决该矛盾，PN结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证 C入 Cd ，而 C入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。若电荷灵敏前置放大器的反馈电容和反