2020年半导体行业前瞻分析.pdfVIP

2020 年半导体行业前瞻分析 导语 由于 SiC 与 GaN 产业链全球来看仍处于起步阶段，国内企业更是 大部 分处于早期研发阶段，远未成熟，行业体量较小，重点关注已经 在 SiC 与 GaN 研发上投入大量资源并且取得一定成果的公司。 硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起 Si 材料的历史与瓶颈 上世纪五十年代以来，以硅（ Si ）材料为代表的第一代半导体材料 取代 了笨重的电子管引发了集成电路 （IC ）为核心的微电子领域迅速 发展。然而，由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低， Si 在光电 子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制，在高 频下工作性能 较差，不适用于高压应用场景， 光学性能也得不到突破。 随着 Si 材料的瓶颈日益突出，以砷化镓（ GaAs ）为代表的第二 代半导 体材料开始崭露头角，使半导体材料的应用进入光电子领域， 尤其是在 红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。 第三代半导体材 料的兴起， 则是以氮化镓（ GaN ）材料 p 型掺杂的突破为起点，以 高亮度蓝光发光 二极管（ LED ）和蓝光激光器（ LD ）的研制成功为标 志，包括 GaN 、碳 化硅（ SiC ）和氧化锌（ ZnO ）等宽禁带材料。 第三代半导体（本文以 SiC 和 GaN 为主）又称宽禁带半导体， 禁带宽度在 2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热 导率、高电 子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。 SiC 与 GaN 相比较，前者相 对 GaN 发展更早一些，技术成熟度也更高一些； 两者有一个很大的区别 是热导率， 这使得在高功率应用中， SiC 占据 统治地位；同时由于 GaN 具有更高的电子迁移率，因而能够比 SiC 或 Si 具有更高的开关速度，在 高频率应用领域， GaN 具备优势。 SiC/GaN ：稳定爬升的光明期 虽然学术界和产业界很早认识到 SiC 和 GaN 相对于传统 Si 材料的 优点， 但是由于制造设备、制造工艺与成本的劣势，多年来只是在小 范围内得 到应用，无法挑战 Si 基器件的统治地位，但是随着 5G 、 汽车等新市场 出现， SiC/GaN 不可替代的优势使得相关产品的研发 与应用加速；随着 制备技术的进步， SiC 与 GaN 器件与模块在成 本上已经可以纳入备选方 案内，需求拉动叠加成本降低， SiC/GaN 的时代即将迎来。 SiC ：极限功率器件的理想材料 SiC ：极限功率器件的理想的材料 SiC 是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面 都非 常稳定。 C 原子和 Si 原子不同的结合方式使 SiC 拥有多种晶 格结构，如 4H 、6H 、3C 等等。 4H-SiC 因为其较高的载流子迁移 率，能够提供较高 的电流密度，常被用来做功率器件。 SiC 从上个世纪 70 年代开始研发，