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熱抵抗について 本書では、お客様におけます熱設計時のご参考のために、弊社での熱抵抗に関する各パラメータの定義、 測定方法などについて解説いたします。 ■背景 一般的に素子のジャンクション温度（Tj）が 10℃上がる毎にデバイスの寿命は約半分になり、故障率は約２倍になるとい われています。Si 半導体の場合では Tj が約 175℃を超えると破壊される可能性があります。これより、Tj を極力さげて 使う必要があり、許容温度（通常 80～100℃）を目標に熱設計を行います。 但し、パワーデバイスのような高出力素子 では Tj をこの許容温度以下に抑えることは実際には困難であり、仕様書に掲示されている許容最高温度の 80% を目安に Tj を設定するのが一般的です。 また、デバイスの外形が同じであっても、そのデバイスのチップサイズ、リードフレームのタブサイズ、実装基板の仕様 等により、熱抵抗値が変化しますので注意が必要です。 ■定義 半導体パッケージの熱抵抗とは、デバイスが１[Ｗ]の電力を消費した時に生じる素子とパッケ－ジ 表面や周囲雰囲気との温度差で次の式で表されます。