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第九章金属半导体和
半导体异质结
第九章金属半导体和半导体异质结
9.1肖特基势垒二极管
92金属半导体的欧姆接触
9.3异质结
91肖特基势垒二极管
SiO,
N
N
(b)采用金属搭接
(a)简单接触
肖特基势垒二极管示意
图
91.1性质上的特征
Eo
E
E
金属
N型半导体
金属和n型半导体接触前的平衡态能带图
基本概念
真空能级Eo:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量
功函数:从费米能级到真空能级的能量差
电子亲和势:真空能级到价带底的能量差
金属的功函数
E
FM
从366V(Mg)~515eV(Ni)
半导体的亲和势
x=E0EC(表面)
半导体的功函数Ge,S,GaAs:4.134.014.07eV
Ps=xs +lEC- EEsIFB
画能带图的步骤:
1.画出包括表面在内的各部分的能带图
2.使图沿垂直方向与公共的E参考线对齐,并通过
公共界面把图连起来
3.不改变半导体界面能带的位置,向上或向下移动
半导体体内部分的能带,直到E在各处的值相等
4.恰当地把界面处的EEE和体内EEE连
接起来
5.去除不重要的
Figure 9.1
Vacuum level
φmp
Ec
Ey
两个方向都存在
电子流动的势垒
Ey
Depletio
金属中的电子向半导体中运动存在势垒φBo
做肖特基势垒。
BO
半导体导带中的电子向金属中移动存在势
垒vbi,V就是半导体内的内建电势
Vhi=oRo -(ec-e
F/FB
BO
外加电压后,金属和半导体的费能级不再相同,
二者之差等于外加电压引起的电势能之差。
·金属一边的势垒不随外加电压而变,即:φg不变。
·半导体一边,加正偏,势垒降低为vb-Va
反偏势垒变高为
+V
R
e(vbi- va)
正偏
Ec
Ey
反偏
e(Vhi t vr)
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