太阳能电池-湿法刻蚀工艺指导书.pdfVIP

Edge Isolation PSG Selective Emitter 工 设计文件名称 T-IS-026 艺操作规程 产品型号名称 156×156 多晶绒面电池 共 6 页 第 1 页 1、工艺目的： 通过化学反应，将硅片上下表面的 PN结刻断，以达到正面与背面绝缘的目的；另外经过化 学反应，刻蚀掉未被蜡覆盖的硅片表面的一定深度， 做选择性发射极；最后用 BDG去除 inkjet 工序中的喷涂的层蜡，用 KOH药液去除硅片表面的多孔硅；同时用 HF去除表面的磷硅玻璃 层。 2 、设备及工具： Edge Isolation PSG Selective Emitter 、电子天平、 PVC手套、口罩、防护服、 防护眼罩、防护套袖、橡胶手套、防酸碱胶鞋、 GPSolar 电阻测试仪（边缘电阻） 、浓 度分析仪等。 3、适用范围 本工艺适用于 Edge Isolation PSG Selective Emitter 。 4 、职责 本工艺操作规程由工艺工程师负责调试、修改、解释。 5、材料： 合格的多晶硅片（ INKJET后）、HF （49%,电子级，工作压力 3-5bar ， KOH（49%,电子级，工作压力 3-5bar ）、HNO3 （65%，电子级，工作压力 3-5bar ）， DI 水（工作压力 3-5bar ）、压缩空气（工作压力 6-7bar ，除油，除水，除粉尘） ， Butyldiglycol （2 一（2 一丁氧乙氧基）乙醇）（ BDG）（100% ，电子级，工作压力 3-5bar ）， 冷却水（入水：工作压力 3-4bar ，最大入水温度 25°C，出水工作压力：最大 2bar ）， 新鲜空气（ Fresh air 用于旋转器腔室） （工作压力 100Pa）， 乙二醇（制冷机）。 6、工艺描述： 6.1 、工艺条件： 环境温度： + 22°Cto + 24°C； 环境湿度 : 45 to 65 %RHat 24°C； 1 Edge Isolation PSGSelective Emitter T-IS-026 设计文件名称 工艺操作规程 共 6 页 第 2 页 6.2 、工艺原理： Edge Isolation PSG Selective Emitter 工艺主要包括三部分： 3 3 HNO+HF(周边刻蚀 ) HNO +HF （刻蚀掉一定深度的未被蜡层覆盖的 PN结） KOH+BDG+Antifoam（中和掉多余的酸以及去除硅片表面的的多孔硅和 inkjet 工序中喷涂的 层蜡） HF( 去除硅片表面的磷硅玻璃 ) 。 本工艺过程中，首先用滚轮将硝酸带出将滚轮与硅片接触的背面氧化，形成氧化硅后 ，然后氢氟酸与氧化硅反应生成络合物六氟硅酸（ H2 SiF6 ），刻断 PN结，从而使正面与背面 3 绝缘。然后硅片经过喷淋 HNO+HF的混合药液， 将未被 inkjet 层蜡覆盖的深 PN结刻蚀掉一 定深度，变成工艺要求的深度； 选择性刻蚀之后经过