磁控溅射法制备薄膜材料综述..pdfVIP

磁控溅射法制备薄膜材料综述 材料化学 张召举 摘 要 薄膜材料的厚度是从纳米级到微米级，具有尺寸效应，在国防、通讯、 航空、航天、电子工业等领域有着广泛应用，其有多种制造方法，目前使用较多 的是溅射法，其中磁控溅射的应用较为广泛。 本文主要介绍了磁控溅射法的原理、 特点， 以及制备过程中基片温度、 溅射功率、 溅射气压和溅射时间等工艺条件对 所制备薄膜性能的影响。 关键字 磁控溅射；原理；工艺条件；影响 正文 薄膜是指尺度在某个一维方向远远小于其他二维方向， 厚度可从纳米级到微 米级的材料， 由于薄膜的尺度效应， 它表现出与块体材料不同的物理性质， 有广 泛应用。薄膜的制备大致可分为物理方法和化学方法两大类。 物理方法主要包括 各种不同加热方式的蒸发， 溅射法等，化学方法则包括各种化学气相沉积 （CVD）、 溶胶 - 凝胶法（ sol-gel ）等。 溅射沉积法由于速率快、 均一性好、 与基片附着力强、 比较容易控制化学剂 量比及膜厚等优点， 成为制备薄膜的重要手段。 溅射法根据激发溅射离子和沉积 薄膜方式的不同又分直流溅射、 离子溅射、 射频溅射和磁控溅射， 目前多用后两 种。本文主要介绍磁控溅射制备薄膜材料的原理及影响因素。 磁控溅射是 70 年代迅速发展起来的新型溅射技术，目前已在工业生产中实 际应用。这是由于磁控溅射的镀膜速率与二极溅射相比提高了一个数量级。 具有 高速、低温、低损伤等优点。高速是指沉积速率快；低温和低损伤是指基片的温 升低、对膜层的损伤小。 1974 年 Chapin 发明了适用于工业应用的平面磁控溅射 靶，对进人生产领域起了推动作用。 磁控溅射基本原理 磁控溅射是 20 世纪 70 年代迅速发展起来的一种高速溅射技术。 对许多材料， 利用磁控溅射的方式溅射速率达到了电子术蒸发的水平， 而且在溅射金属时还可 避免二次电子轰击而使基板保持冷态， 这对使用怕受温度影响的材料作为薄膜沉 积 的 基 板 具 有 重 要 意 义 。 磁控溅射是在磁场控制下的产生辉光放电，在溅射室内加上与电场垂直的 正交磁场， 以磁场来改变电子的运动方向， 电子的运动被限制在一定空间内， 增 加了同工作气体分子的碰撞几率， 提高了电子的电离效率。 电子经过多次碰撞后， 丧失了能量成为“最终电子”进入弱电场区，最后到达阳极时己经是低能电子， 不再会使基片过热。被溅射的原子到达衬底表面之后，经过吸附、凝结、表面扩 散迁移、碰撞结合形成稳定晶核， 晶粒长大后互相联结聚集， 最后形成连续状薄 膜。 电子在电场 E 的作用下， 在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞， 使其电离产 生出 Ar+和新的电子；新电子飞向基片， Ar+ 在电场作用下加速飞向阴极靶，并 以高能量轰击靶表面， 使靶材发生溅射。 在溅射粒子中， 中性的靶原子或分子沉 积在基片上形成薄膜， 而产生的二次电子会受到电场和磁场作用， 产生 E （电场） ×B （磁场）所指的方向漂移，简称 E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若 为环形磁场， 则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动， 它们的运动路径不 仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内， 并且在该区域中电离出大 量