《开关电源开发流程》.docx

开关电源开发流程 目的 希望以筒短的篇幅，将公司目前哉言十的流程做介若有介不富之匮，言青不吝指教 . 哉言十步H : 输^路 H、PCB Layout. 燮厘器言十算. 零件邀用. 面,做. 哉言十流程介(以DA-14B33舄例)： ^路 H、PCB Layout 言青参考 中 明. 燮厘器言十算： 燮厘器是整彳固雷源供雁器的重要核心， 所以燮厘器的言十算及是很重要的， 以 下即就DA-14B33燮厘器做介. 决定燮厘器的材K及尺寸： 依器言十算公式 B(max)= 金戴心食包合的磁通密度 (Gauss) Lp = 一次侧雷感值(uH) Ip = 一次侧峰值雷流(A) Np = 一次侧(主^圈)圈敷 Ae = 金戴心截面稹(cm2) B(max) 依金戴心的材及本身的温度来决定，以 TDK Ferrite Core PC40 舄例，100C畤的B(max)潟3900 Gauss, ^言十时慝考虑零件森差，所以一 般取3000~3500 Gauss之冏，若所言十的 power舄Adapter(有外^ ) MOW 取3000 Gauss左右，以避免金戴心因高温而食包合， 一般而言金戴心的尺寸越大， Ae越高，所以可以做段大瓦敷的 Power。 决定一次侧滤波雷容： 滤波雷容的决定，可以决定雷容器上的 Vin(min),滤波雷容越大，Vin(win) 越高，可以做段大瓦敷的 Power,但相室格亦段高。 决定燮厘器^径及^敷: 富燮厘器决定彳灸，蓟M器的 Bobbin即可决定，依St Bobbin的槽宽，可 决定燮厘器的^径及敷，亦可言十算出^径的流密度，流密度一般 以6A/mm2舄参考，雷流密度室寸燮厘器的言十而言， 只能富做参考值， 最 舍冬雁以温昇言己金彖舄举。 决定 Duty cycle ( 工作遇期): 由以下公式可决定 Duty cycle , Duty cycle 的哉言十一般以 50涉基举， Duty cycle 若超遏50湖辱致振It的畿生。 NS = 二次侧圈敷 NP = 一次侧圈敷 Vo = 审俞出雷厘 VD= 二桎向雷厘 Vin(min)= 滤波雷容上的谷黑占雷厘 D = 工作遇期(Duty cycle) 决定Ip值： Ip = 一次侧峰值雷:流 lav = 一次侧平均雷流 Pout = 审俞出瓦敷 效率 PWM 震谡原率 决定审甫助雷源的圈敷: 依器的圈比imu,可决定it助源的圈敷及Wo 决定MOSFEM二次侧二桎醴的 Stress（瞧力）: 依披燮厘器的圈比鼎鼾系，可以初步言十算出燮厘器的雁力 （Stress）是否符 合邀用零件的规格，言十算畤以审俞入雷厘 264V（雷容器上舄380V）舄基举。 其它： 若审俞出雷厘舄5V以下，且必^使用TL431而非TL432畤，考虑多一鲍 鲍提供 Photo coupler 及 TL431 使用。 将所得资料代入 公式中，如此可得出B（max），若B（max）值太高或太低 必^重新^整。 DA-14B33 燮厘器^算： 审俞出瓦敷 13.2W（3.3V/4A） , Core = EI-28 ，可^面稹（槽宽）=10mm, Margin Tape = 2.8mm（每）,剩绘可^面St =4.4mm. 假哉 fT = 45 KHz , Vin（min）=90V , =0.7 , P.F.=0.5（cos 0） , Lp=1600 Uh 言十算式： 燮厘器材^及尺寸： 由以上假哉可知材K舄 PC-40,尺寸=EI-28 , Ae=0.86cm2,可^面稹（槽 宽）=10mm 因Margin Tape 使用2.8mm 所以剩绘可^面稹舄 4.4mm. 假哉滤波雷容使用 47uF/400V, Vin（min）暂定90V。 决定燮厘器的径及^敷: 假哉NP使用0.32 W的^ 雷流密度= 可^圈敷= 假哉Secondary使用0.35 p的^ 雷流密度= 假哉使用4P, 10 雷流密度= 可^圈敷= 决定 Duty cycle: 假哉 Np=44T, Ns=2T, VD=0.5（使用 schottky Diode） 决定Ip值： 决定审甫助雷源的圈敷: 假哉审甫助源=12V NA1=6.3 圈 假哉使用0.23 W的^ 可^圈敷= 若NA1=6Tx2R同焯甫助雷源=11.4V 决定MOSFE吸二次侧二桎醴的 Stress(雁力): MOSFET(Q1)裁高审俞入雷M (380V)+ = =463.6V Diode(D5)=审俞出雷M (Vo)+ x 最高审俞入雷M (380V) =20.57V Diode(D4)= ==41.4V 其它： 因舄审俞出舄 3.3V,而 TL431的Vref值舄2.5V，若再加上 photo coupler上的厘降%勺1.2V，将使得审俞出法推勤