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开关电源开发流程
目的
希望以筒短的篇幅,将公司目前哉言十的流程做介若有介不富之匮,言青不吝指教 .
哉言十步H :
输^路 H、PCB Layout.
燮厘器言十算.
零件邀用.
面,做.
哉言十流程介(以DA-14B33舄例):
^路 H、PCB Layout 言青参考 中 明.
燮厘器言十算:
燮厘器是整彳固雷源供雁器的重要核心, 所以燮厘器的言十算及是很重要的, 以
下即就DA-14B33燮厘器做介.
决定燮厘器的材K及尺寸:
依器言十算公式
B(max)= 金戴心食包合的磁通密度 (Gauss)
Lp = 一次侧雷感值(uH)
Ip = 一次侧峰值雷流(A)
Np = 一次侧(主^圈)圈敷
Ae = 金戴心截面稹(cm2)
B(max) 依金戴心的材及本身的温度来决定,以 TDK Ferrite Core PC40
舄例,100C畤的B(max)潟3900 Gauss, ^言十时慝考虑零件森差,所以一 般取3000~3500 Gauss之冏,若所言十的 power舄Adapter(有外^ ) MOW 取3000 Gauss左右,以避免金戴心因高温而食包合, 一般而言金戴心的尺寸越大,
Ae越高,所以可以做段大瓦敷的 Power。
决定一次侧滤波雷容:
滤波雷容的决定,可以决定雷容器上的 Vin(min),滤波雷容越大,Vin(win)
越高,可以做段大瓦敷的 Power,但相室格亦段高。
决定燮厘器^径及^敷:
富燮厘器决定彳灸,蓟M器的 Bobbin即可决定,依St Bobbin的槽宽,可
决定燮厘器的^径及敷,亦可言十算出^径的流密度,流密度一般 以6A/mm2舄参考,雷流密度室寸燮厘器的言十而言, 只能富做参考值, 最
舍冬雁以温昇言己金彖舄举。
决定 Duty cycle ( 工作遇期):
由以下公式可决定 Duty cycle , Duty cycle 的哉言十一般以 50涉基举, Duty cycle 若超遏50湖辱致振It的畿生。
NS = 二次侧圈敷
NP = 一次侧圈敷
Vo = 审俞出雷厘
VD= 二桎向雷厘
Vin(min)= 滤波雷容上的谷黑占雷厘
D = 工作遇期(Duty cycle)
决定Ip值:
Ip = 一次侧峰值雷:流
lav = 一次侧平均雷流
Pout = 审俞出瓦敷
效率
PWM 震谡原率
决定审甫助雷源的圈敷:
依器的圈比imu,可决定it助源的圈敷及Wo
决定MOSFEM二次侧二桎醴的 Stress(瞧力):
依披燮厘器的圈比鼎鼾系,可以初步言十算出燮厘器的雁力 (Stress)是否符
合邀用零件的规格,言十算畤以审俞入雷厘 264V(雷容器上舄380V)舄基举。
其它:
若审俞出雷厘舄5V以下,且必^使用TL431而非TL432畤,考虑多一鲍 鲍提供 Photo coupler 及 TL431 使用。
将所得资料代入 公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低
必^重新^整。
DA-14B33 燮厘器^算:
审俞出瓦敷 13.2W(3.3V/4A) , Core = EI-28 ,可^面稹(槽宽)=10mm, Margin Tape = 2.8mm(每),剩绘可^面St =4.4mm.
假哉 fT = 45 KHz , Vin(min)=90V , =0.7 , P.F.=0.5(cos 0) , Lp=1600
Uh
言十算式:
燮厘器材^及尺寸:
由以上假哉可知材K舄 PC-40,尺寸=EI-28 , Ae=0.86cm2,可^面稹(槽 宽)=10mm 因Margin Tape 使用2.8mm 所以剩绘可^面稹舄 4.4mm.
假哉滤波雷容使用 47uF/400V, Vin(min)暂定90V。
决定燮厘器的径及^敷:
假哉NP使用0.32 W的^
雷流密度=
可^圈敷=
假哉Secondary使用0.35 p的^
雷流密度=
假哉使用4P, 10
雷流密度=
可^圈敷=
决定 Duty cycle:
假哉 Np=44T, Ns=2T, VD=0.5(使用 schottky Diode)
决定Ip值:
决定审甫助雷源的圈敷:
假哉审甫助源=12V
NA1=6.3 圈
假哉使用0.23 W的^
可^圈敷=
若NA1=6Tx2R同焯甫助雷源=11.4V
决定MOSFE吸二次侧二桎醴的 Stress(雁力): MOSFET(Q1)裁高审俞入雷M (380V)+ =
=463.6V
Diode(D5)=审俞出雷M (Vo)+ x 最高审俞入雷M (380V)
=20.57V
Diode(D4)=
==41.4V
其它:
因舄审俞出舄 3.3V,而 TL431的Vref值舄2.5V,若再加上 photo coupler上的厘降%勺1.2V,将使得审俞出法推勤
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