电子技术基础知识测试2套.docx

Ob O b表示 1、 电子技术基础知识测试 专业: 班级: 姓名: 分数: 一、客观题（共33 分）: 1串联的电阻数量越多，阻值越 ，并联的阻值的数量越多，阻值越 2、 电流表应与待测电路 ，内阻应尽可能的 电压表应与 待测电路 ，内阻应尽可能的 。 3、 基尔霍夫电流定律指出：在任一瞬间，通过任一个节点电流的代数和 基尔霍夫电压定律指出：在任一瞬间，沿任一回路绕行方向绕行 一周，回路中各段电压的代数和 4、 电容器的容量是指 5、 三相四线制交流电路中，相线与中性线之间的电压称为 ，相线与相 TOC \o 1-5 \h \z 线之间的电压称为 。 6、 主板上的缩写POWER_L表示 ；跳线旁边印有 CLRCMOS 符号，表示 ； RESET表示 PCSPEAKER 表示 ； HDD_LE代表。 7、 USB接口供电 V 8 三极管有三个工作区域，即 、 和 。如果 是硅管，则截止时， Ube ； 饱和时 Uce 9、 二极管最大的特点是 ，即正向接入大于0.7V的电压时，二极 管 反向接入电压时二极管 。 10、 差分放大电路作用是 ，结构上的特点是 偏/反偏）。 稳压二极管工作时，其工作在 16、 电容的作用 ，电感作用 仃、电阻的参数有 18、 NPN三极管，用指针万用表，黑接b，红接e，1K档，结果 ，阻值为 用指数字万用表，黑接b,红接e,结果 ，阻值为 。 19、 MOSt即金属氧化物半导体三极管，又叫绝缘栅型场效应管 MOSFETMetal Oxide Semiconductor FET），分为 型和 型。场效应管中的 G表示 ，D 表示 ，S表示 。MOS?具有导通压降小，损耗小，耐高温的特点，但开 关速度不高，价格贵；而三极管开关速度快，抗静电能力比 MOS?强，但损耗较大 MOS管是 控制电流型器件，三极管是 控制电流型器件。三极管， ，c表示 ，e表示 20、 电感单位为 ，电容单位为 21、 已知R= 1K Q,放在某电路中.实际工作电流为10mA,两端电压为20V,应选多大 功率的电阻一 22、 进制转换 十进制（decimalism）转换成二进制（bi nary） : 100（DEC）转换成 BIN 的结果 是 ； 二进制（binary）转换成十六进制（hexadecima）: 1100100 （ BIN）转换成 HEX 的 结果是 ； 23、主板主要由电阻、电容、电感、三极管/MOS管构成，各类元件在电路中的主要 作用是：电阻： 电容： 电感： 三极管/MOS管: 二、主观题（共67 分）: 画出共射基本放大电路和共集放大电路 （射随器），并说明每个元件作用（7分）。 2、画出桥式整流构成的电源电路，并说明每个元件作用（ 5 分）11、 若有一个色环电阻的四环颜色分别为 ：红、红、橙，金；则该电阻 阻值为 若有一电阻数字标明为472，则该电阻阻值为 若有一电阻 数字标明为5K2,则该电阻阻值为 若有一电容标明50V, 100UF 2、画出桥式整流构成的电源电路，并说明每个元件作用（ 5 分） 该电容容量为 耐压值为 若有一电容标明104,则说明该电 TOC \o 1-5 \h \z 容容量为 。 12、 三端稳压器的作用是 ,如W7812俞出的电压为 3、画出由运放构成的同相比例放大电路、 反向比例放大电路、压随器和加法电路（20 3、画出由运放构成的同相比例放大电路、 反向比例放大电路、压随器和加法电路（20 分） 若它使放大电路的净输入信号增强，则这种称为 ; 若它使放大电路的净输入信号减小，则这种称为 。 14、 当晶体管工作在放大区时，发射结电压 （正偏/反偏）和集电结电压 （正 4、分别写出图1~3中的逻辑门电路的逻辑表达式和真值表， 并简要阐述其工作原理 （15 分）。 YNI (1): 图 OUT ND3 G 图 IN_Y +5V 2 gnd 3 C 2 3 C 1 1 B ?a out IN_^_JNOR^out IN_Y ： 3 gnd 7 (2) gnd +5V GND OUT 5、主板中MOS管主要应用其开关特性，其工作电路原理图如图 4所示，写出图4 中MOS管工作在截止状态和导通状态的工作条件， 并画出等效电路图；图5是笔记 本电子线路中分立部分使用最多的开关电路，试简述其工作原理（ 10分）。 g +V DD Rd ― I J ° 丄卓 U0 Ui S 单向元件 。 （2）电容器C 1、 画出电容的符号 A、 无极性电容 B、 有极性电容 2、 电容具有什么特性 有哪些作用 3、 有极性电容放在电路中时，电容的正极应接电路高电位端还是低电位端 4、 电容的主要技术参数有哪些