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rbe= rbe1 +(1+ β1)rbe2 ( β1+ β2+ β1 β2) ΔiB ΔiE= (1+β2) (1+ β1)ΔiB1 = ΔiB + ΔiC β = ΔiC ΔiB = β1+β2+β1β2 ≈ β1β2 iC1 iC2 iE1= iB2 iE iC iB iB1 ΔiC1 = β1 Δ iB1 ΔiE1= ΔiB2 = (1+ β1)ΔiB1 ΔiC2 = β2 (1+ β1) ΔiB1 与NPN型三极管等效 VT1 VT2 b e c 相同类型三极管组成的复合管 ic1 =iB2 iE2 iB1 iB ic2 iC iE1 iE ΔiC= β1(1+ β2) ΔiB1 = (β1+ β1 β2) ΔiB ΔiE= (1+ β1+ β1 β2) ΔiB1 = ΔiC + ΔiB β = β1 (1 +β2)≈ β1β2 rbe= rbe1 与NPN型三极管等效(类型与前级管同) ΔiE1= (1+ β1) ΔiB1 ΔiC1= ΔiB2= β1 ΔiB1 ΔiC2= β1 β2ΔiB1 VT2 VT1 b e c 不同类型三极管组成的复合管 rbe= rbe1 +(1+ β1)rbe2 β = β1+β2+β1β2 ≈ β1β2 与PNP型三极管等效 β = β1 (1 +β2)≈ β1β2 rbe= rbe1 与PNP型三极管等效 iC1 iE1= iB2 iC2 VT1 VT2 iE iC iB1 iB b e c iC1= iB2 VT1 VT2 iE iC2 iB1 iB iC iE1 b e c 二、复合管组成的互补对称放大电路 VT1 VT2 +VCC -VCC ui RL uo R R2 R1 VD2 VD1 VT3 VT4 VT3、VT4很难互补对称 VT3、VT4可实现互补对称 VT1 VT2 +VCC -VCC ui RL uO R R2 R1 VD2 VD1 VT3 VT4 Re1 Re2 第四节 集成功率放大器 集成功率放大器的电路组成 集成功率放大器的主要技术指标 集成功率放大器的引脚和典型接法 概述 目前,利用集成电路工艺已经能够生产出品种繁多的集成功率放大器。 集成功放除了具有一般集成电路的共同特点外,还有一些突出的优点,主要有温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,非线性失真较小等,还可以将各种保护电路也集成在芯片内部,使用更加安全。 集成功放从用途划分,有通用型功放和专用型功放。 从芯片内部的构成划分,有单通道功放和双通道功放。 从输出功率划分,有小功率功放和大功率功放。 一、概述 集成功率放大器与一般集成运算放大器的主要区别在于要求其能输出更大的功率。 为了达到这个要求,集成功放的输出级常常采用复合管组成。 另外,通常要求更高的直流电源电压。 对输出功率比较高的集成功放,有时要求其外壳装散热片。 因集成工艺的限制,集成功放中的某些元件要求外接。 有时为了使用方便而有意识地留出若干引线端,允许用户外接元件以灵活地调节某些技术指标。 二、集成功率放大器的电路组成 8 2 7 1 6 3 5 4 R3 R2 R1 R4 R5 R7 R6 15kΩ 15kΩ 50kΩ 1.35kΩ 150Ω 15kΩ 50kΩ VT1 VT2 VT3 VD1 VT10 VT4 VT5 VT7 VT 8 VT6 VT9 VD2 输入级为双端输入、单端输出差分放大电路 镜像电流源 中间级 引入一个电压串联负反馈,减小非线性失真。 三、集成功率放大器的主要技术指标 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 工作电源电压(V+) LM386N-1,-3,LM386M-1 LM386N-4 4 5 12 18 V V 静态电流(IQ ) V+ =6V, Ui =0 4 8 mA 输出功率( PO) LM386N-1,LM386M-1 LM386N-3 LM386N-4 V+ =6V, RL =8Ω,THD=10% V+ =9V, RL =8Ω,THD=10% V+ =16V, RL =32Ω,THD=10% 250 500 700 325 700 1000 mW mW mW 电压增益(Au ) V+ =6V, f =1kHz 引脚1、8间接10μF电容 26 46 dB dB 带宽(BW) V+ =6V, 引脚1、8开路 300 kHz LM386主要技术指标(大气温度TA=250C) 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 总谐波失真(THD) V+ =6V, RL =8Ω ,PO=125mW f =1kHz , 引脚1和8开路 0.2 % 电源抑制比(PSRR) V+ =6V, f =1kHz , CB=10μF 引脚1和8开路,指输出端 50 d
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