模拟电子技术第四章 双极结型三极管及放大电路基础.pptVIP

第四章 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 4.1.1 BJT的结构简介 BJT 的工作电压 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 4.1.2 BJT内部的载流子传输过程 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 电流分配关系 三个电极上的电流关系: 4.1.3 BJT的特性曲线（共发射极接法） （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 4.1.4 BJT的主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 半导体三极管的型号 4.2 共射放大电路 一．三极管的放大原理 三极管工作在放大区： 发射结正偏， 集电结反偏。 2. 画出放大器的微变等效电路 1. RC低通网络 2. RC高通网络 4.7.2 BJT的混合π型模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的。 5. BJT的频率参数fβ、 fT 根据β定义： 做出β的幅频特性曲线： 附：放大电路的主要技术指标 根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。 习 题 4.1.1 4.2.1, 4.2.2, 4.2.3 4.3.1, 4.3.3, 4.3.5(图解法，自学） 4.3.8, 4.3.9, 4.3.11, 4.3.12 4.4.2, 4.4.3, 4.4.4, 4.4.6 4.5.2, 4.5.3, 4.5.4 4.7.1, 4.7.2, 4.7.3 低频时，忽略电容，混合?模型与H参数模型等效 所以 4. 混合π参数的估算 由： 又因为 从手册中查出 所以 将c、e短路。 得： 其中： 当β=1时对 应的频率 当20lgβ下降3dB 时对应的频率 fβ f β0 0 -20dB/十倍频程 fT 当fT f? 时, 可得： fT ≈β0 f? fβ——共发射极截止频率 fT——特征频率 阻容耦合共射放大电路的频率响应 对于如图所示的共射放大电路，分低、中、高三个频段加以研究。 1 .中频段 所有的电容均可忽略。可用前面讲的h参数等效电路分析 中频电压放大倍数： 2. 低频段 在低频段，三极管的极间电容可视为开路，耦合电容Cb1、Cb2不能忽略。 为方便分析，现在只考虑Cb1，将Cb2归入第二级。画出低频等效电路如图所示。 可推出低频电压放大倍数： 该电路有 一个RC高通环节。 有下限截止频率： 共射放大电路低频段的波特图 幅频响应 ： 相频响应 ： f 0.01fL -180° 0.1fL fL 10fL -90° -135° f 0.01fL 0.1fL fL 10fL 20dB/十倍频 在高频段，耦合电容Cb1、Cb2可以可视为短路，三极管的极间电容不能忽略。 这时要用混合π等效电路，画出高频等效电路如图所示。 3. 高频段 用“密勒定理”将集电结电容单向化。 用“密勒定理”将集电结电容单向化： 其中： 用戴维南定理将C左端的电路进行变换： 忽略CN，并将两个电容合并成一个电容: 得简化的高频等效电路。 其中： 可推出高频电压放大倍数： 其中： 其中： 该电路有 一个RC低通环节。 有上限截止频率： 共射放大电路高频段的波特图 幅频响应 ： 相频响应 ： f