模拟电子技术：第1章 半导体基础知识.pptVIP

* * 画外音： 　　　本里介绍的是日本的急救医疗系统。 当遇到交通事故或者危及病人的突然发作等事先无法预测的紧急情况，首先拨打求救电话，再由地方急救医疗系统作出迅速反应，安排最快捷的方式进行急救医疗。其网络结构为典型的混合结构。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.3 电子系统与信号 电子电路的分类 模拟电路 处理模拟信号的电子电路－称为模拟电路 模拟信号：在时间和幅值上均为连续的信号 典型代表：正弦波 数字电路 处理数字信号的电子电路－称为数字电路 数字信号：在时间和幅值上均为不连续的、突变的信号 （在数字电路中常用0和1表示） 典型代表：方波、脉冲波 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4 半导体基本知识 本节主要内容 1.4.1本征半导体 1.4.2杂质半导体 1.4.3 载流子的漂移运动和扩散运动 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.1 本征半导体 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 绝缘体：电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.1 本征半导体 半导体的导电性能是由其原子结构决定的。 +4 图3.1.2 硅和锗的原子结构简化模型 图3.1.1 硅和锗的共价键结构图 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.1 本征半导体 基本概念 本征半导体：完全纯净的、不含其他杂质且排列整齐的半导体。 本征激发：在温度作用下，束缚电子脱离共价键而形成自由电子，并在原来的位置上形成空穴的过程。 空穴：当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位叫做空穴。 半导体中有两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.1 本征半导体 基本概念 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。（热敏性） 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.1 本征半导体 ＋4 空穴 自由电子 图3.1.3 空穴－电子对的产生 由于热激发而产生自由电子，自由电子移走后留下空穴。 ＋4 ＋4 ＋4 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.1 本征半导体 ＋4 图3.1.4 电子与空穴的移动 ＋4 ＋4 ＋4 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.2 杂质半导体 基本概念 本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 杂质半导体有两种：N（电子）型半导体和P（空穴）型半导体。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.2 杂质半导体 N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价元素（杂质），如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，而五价杂质原子因提供了自由电子故也称为施主杂质。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.2 杂质半导体 N型半导体 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 施主正离子 多余的电子 图3.1.5 N型半导体的共价键结构 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.2 杂质半导体 P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价元素（杂质），如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 因3价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.2 杂质半导体 P型半导体 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 受主原子 图3.1.6 P型半导体的共价键结构 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 1.4.2 杂质半导体 有关杂质半导体的几点说