模拟电子技术基础典型复习题解答.docx

《模拟电子技术基础》典型习题解答 半导体器件的基础知识 1电路如图P1.1所示，已知Ui = 5sin 3t(V)，二极管导通电压 LD= 0.7V。试画出Ui与u。的波形, 并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 2电路如图P1.2 (a)所示，其输入电压 uii和UI2的波形如图(b)所示，二极管导通电压 Lb= 0.7V。 试画出输出电压 Uo的波形，并标出幅值。 解：uo的波形如解图P1.2所示。 w/Vi 3 0.3 CJ 3 0 3 t G 怙/v 3.7 - 1 1 1 1 0 f 解图P1.2 P1.33已知稳压管的稳定电压 LZ= 6V,稳定电流的最小值Izmin = 5mA最大功耗Rzm= 150mW/试求图 所示电路中电阻 R的取值围/ P1.3 图 P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM= PW LZ= 25mA 电阻R的电流为IZM?Izmin，所以其取值围为 R Uj—0.36 ?1.8k I Zmax4已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压 UZ= 6V,最小稳定电流iZmin = 5mA I Zmax =25mA 别计算U为10V、15V、35V三种情况下输出电压 Ub的值； 若U = 35V时负载开路，则会出现什么现象 ？为什么？ 解：(1)当U= 10V时，若LO= LZ= 6V,则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未 击穿。故 LO Rl U| 3.33V R Rl 当U = 15V时，若LO= Lt= 6V,则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 Rl U o L U i 5VR Rl 当U = 35V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流 Izmin,所以Ub= LZ= 6V。 (2) 1 Dz (U| UzR 29mA I zm= 25mA稳压管将因功耗过大而损坏。 5电路如图P1.5 (a)、( b)所示，稳压管的稳定电压 UZ= 3V, R的取值合适，Ui的波形如图(c)所 示。试分别画出 UO1和UO2的波形。 解图P1.5 解图P1.5 解：波形如解图P1.5 所示 6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 P1.6所示。在圆圈中画出管子， 并分别说明它们是硅 管还是锗管。 图 P1.6 图 P1.6 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表 P1.6所示。 7电路如图P1.7 7电路如图P1.7所示，试问卩大于多少时晶体管饱和? 解表P1.6 AvV 口 吕号 Ti T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 解：取UCE尸UBe,若管子饱和，则 Vcc U be vcc U be Rb RC Rb RC Rb 所以,Rc 所以, Rc 时，管子饱和。 8分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 可能可能不能不能,可能T的发射结会因电流过大而损坏。图 可能 可能不能不能,可能 T的发射结会因电流过大而损坏。 图 P2.1 解：（a） （b） （c） （d） （e） 基本放大电路 1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。 要求保留电路原来的共射 接法和耦合方式。 解：（a）将一 VCc改为+ VCc。 在+ V与基极之间加FL 将Vbb反接，且在输入端串联一个电阻。 在Vbb支路加R,在一 Me与集电极之间加 民。 2电路如图P2.2 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 氏尸0.7V。利用图解法分 别求出R_=s和FL= 3kQ时的静态工作点和最大不失真输出电压 Um (有效值)。 解：空载时：I bq= 20 [1 A, I cq= 2mA 0^0= 6V;最大不失真输出电压峰值约为 5.3V，有效值约 为 3.75V。 带载时：I bq= 20 1 A, I cq= 2mA Ueq= 3V;最大不失真输出电压峰值约为 2.3V，有效值约为 1.63V。 如解图P2.2所示。 解图P2.2 3电路如图P2.3所示，晶体管的b= 80,気=100@。分别计算 R_=r和R= 3k Q时的Q点、 A、R 和 FR)o  图 P2.3 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、 rbe均相等，它们分别为 空载时， FL= 5k Q时， I BQ I CQ rbe Vcc U beq U beq Rb I BQ 静态管 U CEQ Au Aus (1 1.76mA 压 Vcc Rc Rb rbe 〃 rbe rbe )26mV I EQ 、电压 IcqRc 6.2