《存储器的发展与技术现状》.docxVIP

蔡文杰 计科3班 1.存储器发展历史 1.1存储器简介 存储器的发展史及技术现状文杰 计科3班存储器发展历史 1.1存储器简介 存储器(Memory是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中 的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果 都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 自世界上第一台 计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新，从一开始的汞延迟线， 磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体 现着科学技术的快速发展。 1.2存储器的传统分类 从使用角度看，半导体存储器可以分成两大类：断电后数据会丢失的易失性存储 器和断电后数据不会丢失的非易失性存储器。 过去都可以随机读写信息的易失性 存储器称为RAM(Randoo Aeeess Memory)根据工作原理和条件不同,RAM乂有静 态和动态之分，分别称为静态读写存储器 SR AM(St ate RAM)和动态读写存储器 DRAM(Dynamie RAM而过去的非易失控存储器都是只读存储 RoM(Readoz y Memo-ry),这种存储器只能脱机写人信息，在使用中只能读出信息而不能写人或 改变信息.非易失性存储器包含各种不同原理、技术和结构的存储器.传统的非易 失性存储器根据写人方法和可写人的次数的不同，乂可分成掩模只读存储器 MROM(Mask ROM广次性编程的 OTPROM(one Time Programmable ROM)可用萦 外线擦除可多次编程的 Uv EPROM(Utravio-let ErasableProgrammable ROM).过 去的OTPROreK是采用双极性熔丝式，这种芯片只能被编程一次，因此在测试阶段 不能对产品进行编程性检侧，所以产品交付用户后，经常在编程时才会发现其缺 陷而失效，有的芯片虽然能被编程，但由于其交流性不能满足要求，却不能正常运 行.故双极性熔丝式PRO肝品的可信度不高. 半导体存储器 由于对运行速度的要求，现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。 半导体存 储器包括只读存储器(ROM和随机读写存储器(RAM两大类。 2.1只读存储器 ROM!线路最简单的半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作 的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般地，只读 存储器用来存放固定的程序和数据，如微机的监控程序、BIOS（基本输入/输出系 统Basic Input/Output System）、汇编程序、用户程序、数据表格等。 根据编程方法不同，ROKff分为以下五种：1、掩码式只读存储器，这类 ROMfc 制造过程中，其中的数据已经事先确定了，因而只能读出，而不能再改变。它的 优点是可靠性高，价格便宜，适宜批量生产。 2、可一次性编程只读存储器 （PROM,为了使用户能够根据自己的需要来写 ROM厂家生产了一种PROM允 许用户对其进行一次编程——写入数据或程序。 一旦编程之后,信息就永久性地 固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。 3、可擦可编程只读 存储器（EPROM，这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的 ROMJ 存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的 IC卡上的透明视窗的方式来 活除掉。4、电可擦可编程只读存储器（EEPROM，功能与EPROMH样，不同之 处是活除数据的方式。另外它还可以用电信号进行数据写入。 5、快闪存储器 （Flash Memory）,是在EEPROM基础上发展而来，只是它提高了 ROM勺读写 速度。 然而，相比之下，ROM勺读取速度比RAMK慢的多，因此，一般都用 RAMfB存放 当前正在运行的程序和数据，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存 取。而面对CPM勺高速发展，内存的速度使得高速运算受到了限制， 为了缓解这 种矛盾，人们找到了几种方法，其中一种就是采用更高速的技术，使用更先进的 RAM乍为内存。于是，就有了 RAM勺发展历史。 2.2随机存储器 RAIW分为SRAM（ Static RAM，静态随机存取存储器）和 DRAM Dynamic RAM 动态随机存取存储器）。SRA邮经是一种主要的内存，它以6颗电子管组成一 位存储单元,以双稳态电路形式存储数据,因此不断电时即可正常工作,而且它 的处理速度比较快而稳定，不过由于它结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构 成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以 现在常把SRAhffl在比主内存小的多的高速缓存上。而DRAM勺结构相比之下要简 单的多，其基本结构是一个电子管和一个电容，具有结构简单、集成度高、