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5.7 静态工作点稳定电路频率响应研究
题目
研究旁路电容和静态工作点分别对Q点稳定电路频率响应影响。
仿真电路
仿真电路图5.7.1所表示。晶体管采取高频小信号晶体管ZTX325。
(a)
(b)
(c)
图5.7.1 经典静态工作点稳定电路频率响应测试
(a)旁路电容Ce改变 (b)耦合电容C1改变 (c)Re改变
仿真内容
(1)耦合电容C1和旁路电容Ce分别对低频特征影响。
(2)Re改变时,静态工作点对高频特征影响。
仿真结果
仿真结果以下表5.7.1所表示:
表5.7.1 电路参数改变时对频率响应影响
耦合电容C1/μF
耦合电容C2/μF
旁路电容Ce/μF
射极电阻Re/KΩ
中频电压增益/dB
下限频率fL/Hz
上限频率fH/MHz
10
10
10
1
33.499
1540
228.757
10
10
100
1
33.499
173.094
100
10
10
1
33.499
1540
10
10
10
1.2
32.296
245.824
结论
(1)试验表明,耦合电容C1从10μF变为100μF时下限频率基础不变,而旁路电容Ce从10μF变为100μF时下限频率显著减小。
(2)在静态工作点稳定电路中,当射极电阻Re从1KΩ变为1.2KΩ时,放大管静态集电极电流减小,使跨导gm减小,从而使|K|=gmRL减小,造成Cπ减小,上限频率fH增大。上述现象首先深入说明增益和带宽矛盾关系,其次说明发射结等效电容和Q点相关,即Q点设置将影响上限频率。
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