抗CAFPCB特性分析及性能对比测试报告.docx

PAGE PAGE # 抗CAF PCB性分析及性能对比测试报告 刖言 随着电子设备在提高功能和性能的同时也向小型化、 轻量化迅速发展，使得印制线路板 的线路也越来越细，间距越来越小，绝缘层越来越薄，钻孔尺寸也向更小更密的方向发展， 并且由于信息传输速度的提升及为减少发热起见， 使得印制板所承受的工作温度在不断地上 升，这一切都增加了 CAF形成的可能性。伴随讯号传输的速度不断加快，工作电压也不断 降低(由30年前的12V,到20年前的5V,到今日的1.5V，甚至数年后的1V以下)，使得微 小瑕疵都将导致传输故障，因此人们对产品的可靠性提出了更高的要求，而 CAF的生长并 导致产品失效需要一个过程， 使其具有较强的隐性， 也使得其成为电子基础设施、 汽车电子 和长期数据存储等用途产品重点关注的隐性风险。 1、 CAF生长的机理 导电性阳极丝(CAF： Co nductive Ano die Filame ntatio n)是可以导致电气短路的电 化学腐蚀过程的副产物。通常表现为从电路中的阳极发散出来， 沿着玻纤与环氧树脂之间界 面表面朝着阴极方向迁移，形成导电性细丝物。 它通常发生在过孔与过孔之间、过孔与内外层导线之间、外层或外层导线与导线之间， 从而造成两个相邻的导体之间绝缘性能下降甚至造成短路，上述表现方式如下图 1所示。 过扎与过孔之何过孔与内层外层内足导践之间CAF 过扎与过孔之何 过孔与内层 外层 内足 导践之间 CAF 图1 CAFtt式 CAF失效的产生一般分为两个阶段：阶段 1:高温高湿的环境下，使得环氧树脂与玻纤 之间的附著力出现劣化，并促成玻纤表面硅烷偶联剂的化学水解， 从而在环氧树脂与玻纤的 界面上形成沿着玻纤增强材料形成 CAF泄露的通路；阶段2 :铜腐蚀的水解反应，形成铜盐 的沉积物，并在偏压的驱动之下，形成 CAF生长。 其化学反应式为： Cu f Cu2+ +2e- (铜在阳极发生溶解) +- H2O f H+ + OH- 2H+ + 2e- f H2 Cu2+ + 2OH- f Cu(OH)2 (铜从阳极向阴极方向发生迁移) Cu(OH) 2 f CuO + H2O CuO + H2O f Cu(OH)2 f C『+ + 20H (铜在阴极沉积) 2+ - Cu2+ +2e- f Cu 2、影响CAF形成的因素 基材的选择 对现在业界经常使用的 G- 10(一种非阻燃的环氧玻璃布材料) 、 聚酰亚胺材料( PI)、 3 -三氯树脂(BT)、氰酸酯(CE 、环氧玻璃纤维布(FR-4)、CEM -3 (一种非阻燃的短切毡玻璃材料)、MC-2 (—种混合的聚酯和环氧玻璃板，芯部为短切毡玻璃材料) 、 Epoxy j/Kevlar，各种材料中形成 CAF的敏感性程度如下： MC-2 Epoxy/Kevlar FR-4^ PIG-10CEM-3CEBT ( 2 )导体结构 对于过孔与过孔之间、 过孔与内外层导线之间、 外层导线与外层导线之间的四种典型导 体结构。其中过孔之间的导体结构最容易形成 CAF。 ( 3)电压梯度的影响 电压梯度是CAF形成敏感性的另一个关键因素。同等条件下，电压越大 CAF形成的越 快。 ( 4)助焊剂的影响 焊接过程中， 聚乙二醇会扩散进环氧基板。 聚乙二醇的吸收， 增加了基板的吸湿性从而 使得性能下降。 (5)潮气 PCBA使用过程中潮气的吸收给电化学腐蚀提供反应媒介。 3、CAF试验 (1) 典型CAF试验板结构 rOOOOOO O^QHQhOhQhQh POOOOOO I \ A - Inline Hole to Hole A - Inline Hole to Hole C - Hole to Antipad B - Staggered Hole Io Hole * D - Plane to Plane 这里，我们的试验板选的是 A方案，PCB和实物如下所示: 卜m ■ ■ MC.OQnifn ■ 尸3$和二忏茁乔厲L护上 (2)试验方案 根据我们公司线路板设计规范，选择 10/18、12/24、20/32、28/42、36/50五种常用的 过孔，每种过孔边缘之间的距离由小到大分别为： 0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.2mm 同样的方案，一种选用防 CAF的PCB板材，一种选用普通的 PCB板材，对比试验看防 CAF的板材是否确实有效果。 （3） 试验环境 业界普遍采用的试验环境： 1、 环境温度：85摄氏度 2、 相对湿度：85% 3、 直流电压：100V 4、 试验时间：1000h 我们的试验环境： 1、 整机气候试验环境 2、 直流电压：24V 3、 试验时间：1000h （4） 实验结果 由于CAF实验是一个慢性的过程，且对实验环境要求非常苛刻