-成核与成长方案.ppt

? 晶体整体线性成长速率：用晶体的线性速率描述晶体 特征 尺寸 随时间的变化，这时的晶体成长速率叫晶体整体线性 成长速率。（ overall growth rate or overall linear growth rate ） ? 例如球形晶体，直径为特征尺寸，如晶体是其它形状，其 特征尺寸是晶体第二长的尺寸（筛分的结果）。 ? 这样的特征尺寸通过晶体的体积、面积、形状系数而计算 晶体的体积和表面积。 ? 晶体质量成长速率：通过晶体质量随时间的变化来定义晶 体的成长速率。单位： kg/s· m2 ? 这一单位也经常被使用，可与整体线性成长速率建立联系。 R G — 单位时间单位面积晶体质量变化 A — 晶体表面积 , L — 特征尺寸 由此可见，体积、面积、形状系数是很重要的参数，只能 通过测量来解决。 dm dL 1 G A dt dt R 3 G 3 a a b b = = r = r 晶体成长理论 ? 晶体层生长理论：其着眼点为溶 质分子在晶体表面一层的成长。 如图 2-31 ? 扩散层模型 ( 如图 2-35) – 一般认为在晶体与溶液的接 触面上存在一个浓度边界层， 在此层中，溶质分子通过扩 散由主体溶液中扩散到晶体 表面，进而沉积在晶体表面。 因此，在此机理模型中，晶 体的成长分为两步： – 溶质分子由主体溶液扩散到 晶体表面。 – 溶质在晶体表面的沉积（表 面沉积反应 ） 晶体的成核与成长 第四章 结晶过程的基本原理 ? 结晶过程发生的基本条件：过饱和溶液 ? 溶液在一定的过饱状态下，会从溶液中析出，其析出 过程包括两种基本现象 – 成核：在溶液中不存在任何晶体，当溶液达到一定 的过饱和状态，溶液中的溶质会形成细小的晶体， 我们称这样的过程为成核过程（初级成核），或在 更广泛的意义上讲，所有形成可供晶体成长的晶体 过程为成核过程 – 成长：在一定过饱和溶液（介质）中的晶体都会发 生成长，晶体从小变大的过程我们叫做成长过程 温度 T 浓 度 饱和溶液曲线 最大过饱和溶液曲线 冷却结晶过程溶液浓度的变化 成核的类型 均相成核 （ Homogeneous ） 初级成核 （ Primary ） 非均相成核 （ Heterogeneous ） ? 初级成核是在没有晶体表面的 情况下发生 ? 二次成核包括在具有晶体表面 的情况下发生 ? 非均相成核是由于外界表面引 起 最初尘粒的繁殖 多晶体破碎 晶体的微观侵蚀 针状或树状晶体 的晶核繁殖 二次成核 流体剪切力 （ Secondary ） 晶体 — 晶体 接触成核 晶体 — 搅拌器 晶体 — 器壁 均相成核 ? 在给定的温度下 , 在过饱和溶液中溶液的平均温度是一个常 数 . 然而局部的 溶液浓度 有波动，在微观的区域内可能属于 一个数量级或称为分子团块。 ? 经典的成核理论（ Volmer ）假设分子团块的形成遵循附加 机理 a + a=a 2 a 2 + a=a 3 a