第5章S3C44B0X接口电路设计与编程 .pptx

第 5 章 S3C44B0X接口电路设计与编程;本章主要介绍：;5.1 MICETEK EV44B0II开发板简介;;5.1.1 存储地址空间分配 ;;5.1.1 存储地址空间分配;;配置程序如下：;.word 0x00007FFC @ GCS4, not use .word 0x00007FFC @ GCS5, not use .word 0 @ GCS6 SDRAM(Trcd=2,SCAN=8) .word 0 @ GCS7 SDRAM(Trcd=2,SCAN=8) .word 0 @ Refresh(REFEN=1,TREFMD=0, @ Trp=3.5(D)or4(SD), Trc=5(S), Tchr=3(D), Ref CNT) .word 0x16 @ Bank size, 32MB/32MB .word 0x20 @ MRSR 6(CL=2) .word 0x20 @ MRSR 7(CL=2);参数说明如表5-1所示 ;寄存器;寄存器;5.1.2 I/O口配置;Port A(rPCONA=0x1FF) ;Port C(rPCONC=0x5F5FFFFF);Port E(rPCONE=0x2552B);I/O端口初始化程序如下：; rPUPE=0x0; rPDATE=0X60; rPCONF=0x2A; rPUPF=0x0; rPDATG=0x0; rPCONG=0x55FF; rPUPG=0x0; rSPUCR=0x7; //上拉禁止。 rEXTINT=0 // EINT7～EINT0下降沿触发。 };5.1.3 电源、时钟及复位电路;;3.复位 nRESET至少保持5个时钟的低电平，当nRESET为高电平时，处理器进行初始化操作。;5.1.4 MBL(Micetek Boot Loader)介绍;; 在上电复位时，Flash的基址是0x0。所以MBL就会立刻被启动运行。 在启动后，MBL把自己的代码拷贝到板子上SDRAM中，其他空间(约7M Bytes)可以用来下载Linux Image文件或其他应用程序，这些程序下载到SDRAM中的默认地址是0x0c008000。如图5-6所示。;;5. 2 存储器电路设计及编程;5.2.1 BOOT FLASH电路及编程;; HY29LV160是HYUNDAI公司生产的Flash存储器，其主要特点有： ⑴ 3 V单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作； ⑵ 支持JEDEC单电源Flash存储器标准和CFMI（Common Flash Memory Interface）特性； ⑶ 只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成； ⑷ 可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数据。; HY29LV160操作编程命令包括读、擦除、编程和复位等命令，如表5-3 所示。;命令 序列;命令 序列;命令 序列;2. 29LV160TE芯片擦除;void F29LV160_EraseSector(int targetAddr) { Uart_Printf(Sector Erase is started!\n); _RESET( ); //芯片复位 _WR(0x555,0xaa); _WR(0x2aa,0x55); _WR(0x555,0x80); _WR(0x555,0xaa); _WR(0x2aa,0x55); _WR(BADDR2WADDR(targetAddr),0x30); _WAIT( ); //等待擦除结束 _RESET( ); //芯片复位 }; 其中 _W