CCD基本结构和工作原理.docxVIP

CCD 的基本结构和工作原理 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号， 而不同于其他大多数器件是以电流或电压 为信号。 CCD 的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。因此， CCD 工作过程的主要问题是 信号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD 有两种基本类型： 一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面， 并沿界面传输， 这类器件称为表面沟道 CCD（简称 SCCD）；二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体 内，并在半导体体内沿一定方向传输，这类器件称为体沟道或埋沟道器件（简称 BCCD ）。 下面以 SCCD 为主讨论 CCD 的基本工作原理。 文档来自于网络搜索 1.CCD 的基本结构 构成 CCD 的基本单元是 MOS （金属—氧化物—半导体）结构。如图 2-7(a)所示，它是 在 p 型 Si 衬底表面上用氧化的办法生成 1 层厚度约为 1000?～ 1500? 的 SiO2，再在 SiO2 表 面蒸镀一金属层 (多晶硅 ) ，在衬底和金属电极间加上 1 个偏置电压，就构成 1 个 MOS 电容器。当有 1 束光线投射到 MOS 电容器上时， 光子穿过透明电极及氧化层， 进入 p 型 Si 衬底， 衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。 光子进入衬底时产生的电子跃迁形成 电子－空穴对， 电子－空穴对在外加电场的作用下， 分别向电极的两端移动， 这就是信号