硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据.pdfVIP

硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据 部分硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据 由于硅材料的短缺，大家 把目光转向了原先的废料，进行清洗处理后再使用， 这个领域李仙寿在国内最早进入的，目前可以成熟清洗的特殊硅原料：IC 蓝膜 硅片、普通 IC 硅片色片、制绒片、IC 氧化片、自产残片、砂浆片、电路板、电 池片、银铝浆硅板等。 以下为原料腐蚀清洗处理的部分数据及图片资料，证明清洗后废料的可使用性。 部分硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据： 一、针对原料表面氧化和用哈磨粉超声波清洗的原料进行了单独投炉，分别是 11-0706-14、5-0707-01 两根晶棒，料化完后，液面较干净，成晶较好，检测数 据如下：（氧含量单位：Oatoms/cm3×1017碳含量单位：Catoms/cm3×1017少 子寿命单位： μs） 二、针对原料表面淡蓝色的镀层和电子片原料进行了单独投炉，分别是 12-0707-10，15-0707-10 两根晶棒，料化完后，液面稍脏，但成晶较好，检测 数据如下： 三、制绒片单投一炉，料化完后液面较干净，成晶较好，检测数据如下： 第 1 页 硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据 四、砂浆片进行了单独投炉，分别是 09-0706-08、03-0706-08 两根晶棒，料化 完后，液面较干净，成晶较好，检测数据如下： 五、对自产残片进行了单独投炉，晶棒编号是 18-0710-08，料化完后液面较干 净，成晶较好，检测数据如下： 第 2 页