微波晶体管放大器1.ppt

工作类别 功率晶管体管放大器常采用的工作类别有三类，即甲、 乙、丙三类（也称为 A 、 B 、 C 三类）。 甲类放大的工作特征：发射结处于正向偏压，晶体管在 静态时维持较高的静态直流电流。 优点：增益高、噪声低、线性好； 缺点：输出功率小且效率低，其理论效率为 50% ，实际 只有 25% ～ 40% 。 只在高线性要求时，才采用甲类放大。 工作类别（乙类） 乙类放大的特征：发射结处于零偏压，晶体管在静态时也 无直流电流，也是在外信号到来时，开启发射极结才能进 行放大，只是开启功率要比丙类小。 优点：与甲类相比是输出功率大，效率高，其理论最高效 率可达 78% ；而与丙类相比是线性好，增益高。 为了克服乙类放大零偏压处的失真，也可稍加一点正向偏 压，以维持较小的静态直流电流，这称甲乙类（或 AB 类 ）放大。 工作类别（丙类） 丙类放大的特征：发射结处于反向偏压，晶体管在静态时 没有直流电流（只有很小的集电极反向漏电流），当外信 号到来时，将发射结打开，才起放大作用。 优点：输出功率大，集电极效率高，最高理论效率可接近 100% ，实际可达 50% ～ 70% ； 缺点：增益低、线性差、噪声大。 34 场效应晶体管 Field Effect Transistor (FET) 沟道 Substrate Source Gate Drain (W/WO) 耗尽型 耗尽区 （ Depletion Region ） L g t CH 35 中華大學電機系 田慶誠 金属半导体场效应管 Metal Semiconductor FET S G D 耗尽区 Schottky barrier GaAs 0>V GS >V P Cgs 36 高电子迁移率晶体管 High Electron Mobility Transistor Heterojunction V GS >V P V GS >0 37 Heterojunction 结构 Undoped Buffer layer Undoped Channel Substrate GaAs HEMT f<30GHz AlGaAs GaAs GaAs PM HEMT f<60GHz AlGaAs InGaAs GaAs InP HEMT mm-Wave InAlAs InGaAs InP 38 Junction FET (JFET) 0>V GS >V P (-1~-3V) 2 CH P t V ? t CH 耗尽区 39 Metal Oxide Semiconductor FET ( 增强型 ) V GS >V T (Threshold Voltage) 40 Comparisons of FETs ? 相同点：橫向电流，只提供单一载子电流 不同點 MESFET (P)HEMT JFET MOSFET m n ,v S Higher Highest Low Low f T , f MAX Higher Highest Medium Low Gain (g m ) Higher Highest Medium Low Noise Low Lowest Low High Substrate High resistance High resistance Lossy Lossy Cost Higher Highest Medium Cheep 41 晶体管的低频（ 1/f ）噪声 HEMT HBT 1/f Noise Thermal Noise 42 晶体管的高频噪声 HBT HEMT 微波晶体管放大器 张 小 川博士 2 3.1 微波晶体管的总类与特性 Transistor Input Matching Network Output Matching Network 50 W 50 W DC Bias Circuit 3 3.1 微波晶体管种类与特性 ? Bipolar Transistors ? Field Effect Transistor – BJT ： B ipolar J unction T ransistor 双极型晶体管 Si, 0.1-3G