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集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺;主要内容;第八章 光刻与刻蚀工艺;第八章 光刻与刻蚀工艺;第八章 光刻与刻蚀工艺;掩模版;Clean Room净化间;光刻工艺的基本步骤
? 涂胶 Photoresist coating
? 曝光 Exposure
? 显影 Development;1)清洗硅片 Wafer Clean;5、对准 Alignment;9、坚膜 Hard Bake;光刻1-清洗;光刻3-涂胶 Spin Coating;光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系;光刻4-前烘Soft Bake;5-6、对准与曝光 Alignment and Exposure;;光学曝光、X射线曝光、电子束曝光
①光学曝光-紫外,深紫外
高压汞灯:紫外(UV),300-450nm;
i线365nm,h线405nm,g线436nm。
准分子激光:KrF:λ= 248nm;
ArF:λ= 193nm;
F2激光器: λ= 157nm。;电子束曝光:λ=几十---100?;
优点:分辨率高;不需光刻版(直写式);
缺点:产量低(适于制备光刻版);
X射线曝光:λ=2---40? ,软X射线;
X射线曝光的特点:分辨率高,产量大。
极短紫外光(EUV):λ=10—14nm;光刻7-曝光后烘焙(后烘,PEB);光刻8-显影(Development);显影液:专用
正胶显影液:含水的碱性显影液,如KOH、
TMAH (四甲基氢氧化胺水溶液),等。
负胶显影液:有机溶剂,如丙酮、甲苯等。
例,KPR(负胶)的显影液:丁酮-最理想;
甲苯-图形清晰度稍差;
三氯乙烯-毒性大。;影响显影效果的主要因素:
ⅰ)曝光时间;
ⅱ)前烘的温度与时间;
ⅲ)胶膜的厚度;
ⅳ)显影液的浓度;
ⅴ)显影液的温度;
显影时间适当
t太短:可能留下光刻胶薄层→阻挡腐蚀SiO2(金属)
→氧化层“小岛”。
t太长:光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶
→图形边缘破坏。;正常显影;光刻9-坚膜(Hard Bake);光刻10-图形检测(Pattern Inspection);8.1.2 分辨率;表1 影响光刻工艺效果的一些参数;2.衍射对R的限制
设一任意粒子(光子、电子),根据不确定关系,有
ΔLΔp≥h
粒子束动量的最大变化为Δp=2p,相应地
若ΔL为线宽,即为最细线宽,则
最高分辨率; ① 对光子:p=h/λ,故 。
物理含义:光的衍射限制了线宽≥ λ/2。
最高分辨率限制:
②对??子、离子:具有波粒二象性(德布罗意波),则
,
最细线宽:
a. E给定:m↑→ΔL↓→R↑,即R离子 R电子
b. m给定:E↑→ΔL↓→R↑;3.光衍射影响分辨率;1)数值孔径NA (Numerical Aperture);提高NA
– 更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际
– 减小DOF(焦深),会引起制造困难
减小光波长λ
– 开发新光源, PR和设备
– 波长减小的极限:UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray
减小K1
– 相移掩膜(Phase shift mask);8.1.3 光刻胶-Photoresist(PR);负胶Negative hotoresists:;正胶(重氮萘醌)的光分解机理;负胶(聚乙烯醇肉桂酸脂)的光聚合机理;1)聚合物材料;3)溶剂;完成所需图形的最小曝光量;
表征:S=n/E,
E-曝光量(lx·s,勒克斯·秒);n-比例系数;
光敏度S是光刻胶对光的敏感程度的表征;
正胶的S大于负胶;1)紫外-汞灯;未来技术趋势;接触式曝光;硅片与光刻版保持5-50μm间距。
优点:光刻版寿命长。
缺点:光衍射效应严重—
分辨率低
(线宽3μm)。
;利用光学系统,将光刻版的图形
投影在硅片上。;分步重复投影光刻机--Stepper;8.1.6 掩模版(光刻版)Mask;PSM:Phase-Shift Mask
作用:消除干涉,
提高分辨率;
原理:在Mask的透明图形上增加一个透明的介质层-移相器,使光通过后产生1800的相位差。;基本概念;1)栅掩膜对准 Gate M
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