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【名词解释】EUV2013/03/13EUV 是指波长为 13.5nm 的远紫外光（Extreme Ultra-Violet）。也称为软 X 线。利用远紫外光的 EUV 曝光技术作为可使半导体进一步 微细化的新一代曝光技术而备受期待。以前的半导体曝光技术是通过缩短所用光线的波长来提高曝光时的分辨率，从而满足微细化需求。不过，近 10 年来，曝光波长一直维 持在 193nm 没有改变。其原因是，业界导入了在镜头与晶圆间充满 水的液浸曝光技术，以及反复曝光的二次图形曝光技术等，替代了 缩短波长的方法来提高分辨率。大幅缩短曝光波长EUV 曝光将曝光波长缩短至 13.5nm，由此提高曝光时的分 辨率。（本图由《日经电子》根据 International Technology Roadmapfor Semiconductors（ITRS）的资料制 作，照片由阿斯麦提供。）然而，这些技术也越来越接近极限。最新的液浸曝光技术的分辨率为 38nm 左右，即使使用二次图形曝光技术，19nm 已是极限。继续提高分辨率的话，就需要将曝光次数增加到 3 次以上，这会使成 本升高。而使用波长仅为 13.5nm 的 EUV 曝光技术时，一次曝光便 可轻松形成 14nm 左右的图形。不过，目前 EUV 曝光技术的开发变得越来越慢。其主要原因在于，EUV 光源的输出功率目前仅为 10～20W，还远远达不到量产所需要 的 250W。这样下去的话，会给半导体的微细化发展速度造成巨大 影响。因此，从事 EUV 曝光装置业务的阿斯麦公司（ASML）于 2012 年 10 月宣布收购全球最大的 EUV 光源厂商西盟（Cymer）， 以加快开发速度。阿斯麦的目标是 2015 年使 EUV 光源的输出功率 达到量产所需要的 250W。（记者：木村 雅秀，《日经电子》）
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