gan蓝光led电极接触电阻的优化(1)..docx

SEMIC ONDUC TOR OPTOELECTRONIC S Vol. 27No. 6Dec. 2006 材料、结构及工艺 GaN 蓝光 LED 电极接触电阻的优化 裴风丽 1, 2, 陈炳若 1, 2, 陈长清 1 (1 武汉大学物理科学与技术学院 , 湖北武汉 430072; 2 中国科学院传感技术联 合国家重点实验室 , 上海 200050 摘 要 : 通过分析 LED 的工作电压和晶圆上两相邻 N 电极间电阻来讨论快速退 火(RTA和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了 p -GaN表面处理 对Ni/Au与p -GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p -GaN表面比用H Cl 清洗更能有效地改善 N i/Au 与 p -GaN 的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下 两种退火温度对 P 电极接触电阻的影响 , 当退火温度从 570 升到 620 时接触电阻升 高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对 LED 电极接触的影响 , 发现在 480 下连 续退火对 N 接触有利, 但却使 P 接触变差, 而450 、10m in 的氮气氛退火能同时得 到较好 P 接触和 N 接触。 关键词: GaN 基蓝光 LED; 接触电阻; RTA; 表面处理 中图分类号:T N312. 8文献标识码:A文章编号：1001-5868(2006 06-0742-03 Op