金属化概述及质量测量.pptVIP

金属化概述和质量测量;概 述;目 标;引 言;;层间介质（ILD）是绝缘材料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被光刻成图形、刻蚀以便为各金属层之间形成通路。用金属（通常是钨 W）填充通孔，形成通孔填充薄膜。在一个芯片上有许多通孔，据估计，一个300mm2单层芯片上的通孔数达到一千亿个。在一层ILD中制造通孔的工艺，在芯片上的每一层都被重复。 金属化正处在一个过渡时期，随着铜冶金术的介入正经历着快速变化以取代铝合金。这种变化源于刻蚀铜很困难，为了克服这个问???，铜冶金术应用双大马士革法处理，以形成通孔和铜互连。这种金属化过程与传统金属化过程相反（见下图）。;;铜金属化;金属类型;硅和硅片制造业中所选择的金属 (at 20°C);在硅片制造业中各种金属和金属合金可组成下列种类;金 属 铝;;欧姆接触;;;;IC互连金属化引入铜的优点;与 0.25-?m 器件比较互连延迟的变化;铝和铜之间特性和工艺的比较;对铜的挑战;; 阻挡层金属在半导体工业中被广泛应用。为了连接铝互连金属和硅源漏之间的钨填充薄膜接触，阻挡层金属阻止了硅和钨互相进入接触点，也阻止了钨和硅的扩散以及任何结尖刺。可接受的阻挡层金属的基本特征：; 铜在硅和二氧化硅中都有很高的扩散率，这种高扩散率将破坏器件的性能。传统的阻挡层金属对铜来说阻挡作用不够，铜需要由一层薄膜阻挡层完全封闭起来，这层封闭薄膜的作用是加固附着并有效地阻止扩散。对铜来说对这个特殊的阻挡层金属要求：;钽作为铜的阻挡层金属：对于铜互连冶金术来说，钽、氮化钽和钽化硅（TaSiN）都是阻挡层金属的待选材料，阻挡层厚度必须很薄（约75埃），以致它不影响具有高深宽比填充薄膜的电阻率而又能扮演一个阻挡层的角色。;硅化物;;;硅化物的一些特性;;自对准硅化物;与自对准硅化物有关的芯片性能问题;自对准金属硅化物的形成;金属填充塞;多层金属的钨填充塞;IC 中的金属塞;金属淀积系统物理气相淀积 (PVD);蒸 发;简单的蒸发装置;溅 射：;简单平行金属板直流二极管溅射系统;基本溅射步骤;溅射中的物理学;溅射过程中从靶的表面撞出金属原子; 除了被溅射的原子被轰击外，还有其它核素淀积在衬底上（见下图）。这些核素给衬底加热（使温度达到350℃），引起薄膜淀积不均匀。在铝的淀积过程中，高温也可能产生不需要的铝氧化，这反而妨碍了溅射过程。另外如果这些核素（杂质原子）掺杂进正在衬底上生长的薄膜，这将引起薄膜的质量问题。 以上介绍的溅射系统是一个简单的直流二极管系统，它不能用于溅射介质，因为电极被介质覆盖，辉光放电不能够维持。同样也不能用于溅射刻蚀。下面介绍三类溅射系统： RF (射频) 磁控 IMP (离子化的金属等离子体);不同核素淀积在衬底上;磁控溅射;;准直溅射;准直溅射;离子化的金属等离子体 PVD的概念;金属 CVD：;具有 Ti/TiN 阻挡层金属的垫膜钨 CVD;PVD 多腔集成设备;铜电镀系统;铜电镀;铜电镀工具;双大马士革法的铜金属化;;;;表 12.5.5双大马士革法的铜金属化;;;;;;金属化质量测量;小 结